Ⅰ. O a fa'ata'ita'iga o fa'ata'ita'iga o oloa sima carbide silicon?

Silicon carbide (SiC) ceramics o loʻo faʻaaogaina lautele i vaega autu o masini faʻagasologa autu i totonu o le semiconductor ma photovoltaic alamanuia ona o lo latou maualuga maualuga le teteʻeina o le vevela, faʻafefeteina, maualuga le vevela conductivity ma le maualalo o le faʻalauteleina o le vevela. O lo'o taua i lalo fa'ata'ita'iga fa'aoga fa'apitoa o oloa masani:

Va'a silisi carbide

galuega tauave:

O le SiC Boat e masani ona faʻaaogaina e ave ai mea faʻapipiʻi (pei o faʻamaʻi silicon poʻo carbide wafers) mo le faʻasalalau ma le faʻatulagaina i faiga maualuga-vevela.

Faʻaaliga faʻaaogā:

Semiconductor process field: I totonu o ogaumu faʻasalalau ma ogaumu faʻamaʻi, e manaʻomia e le vaʻa ona faʻagaioia lelei mo se taimi umi i se siosiomaga vevela maualuga i luga ole 1000 ° C e aloese ai mai le faʻaleagaina poʻo le faʻaleagaina o le wafer ona o le vevela vevela.

Alamanuia Photovoltaic: I le PECVD (plasma enhanced vapor vapor deposition) meafaigaluega, o le vaʻa e faʻaaogaina e lagolago ai faʻamaʻi silicon e teu ai ata faʻataʻitaʻiga faʻataʻitaʻiga o le nitride silicon, ma e manaʻomia ona tatalia le osofaʻi plasma maualuga ma le maualuga o le vevela o le siosiomaga.

Fa'apa'u ogaumu sili sili (SiC Reaction Tube)

Galuega: I le avea ai ma vaega autu o le potu tali atu maualuga-vevela, e maua ai se fanua vevela tutusa ma se siosiomaga inert chemically.

Faʻaaliga faʻaaogā:

Alamanuia Semiconductor: I totonu o le ogaumu oxidation, o le ogaumu ogaumu e manaʻomia ona tumau mausali mo se taimi umi i totonu o se okesene poʻo le vai vai vai e aloese ai mai le tuʻuina atu o mea leaga ona o le faʻamaʻiina poʻo le pala.

Alamanuia Photovoltaic: I totonu o le ogaumu faʻasalalau, o le ogaumu ogaumu e faʻaaogaina mo le faʻaogaina o le phosphorus (e pei o le saunia o sela PERC), ma e manaʻomia le tetee atu i le gaʻo kasa acidic i le siosiomaga POCl₃.

Foe fa'alava ma le fa'auvaa

Galuega: O le foe cantilever e faʻaaogaina e faʻafeiloaʻi otometi le vaʻa tioata, ma o loʻo faʻaaogaina le vaʻa e faʻapipiʻi le tulaga o le vaʻa tioata.

Faʻaaliga faʻaaogā:

I le faʻagasologa o le semiconductor wafer, e manaʻomia e le foe cantilever le faʻamautuina o le malosi faʻainisinia maualuga i le taimi vave o le siiina ma le faʻaititia e aloese ai mai le gau ona o le vaivai vevela; e mana'omia e le tagata fa'atau va'a le fa'atumauina le sa'o fa'atusa i le maualuga o le vevela e puipuia ai le vafer deviation.

Ⅱ. O a fa'atonuga o fa'atonuga o mea fa'ameamea silicon carbide i totonu o alamanuia photovoltaic ma semiconductor?

O faʻaoga autu o oloa silicon carbide ceramic o loʻo faʻaogaina i le faagasologa o fesoʻotaʻiga o ituaiga e lua o meafaigaluega:

Faatinoga faailo	Mea kalafi	Silicon carbide meafaitino
Maumau maualuga le vevela	Faigofie ona fa'ama'i (> 500°C e mana'omia ai le puipuiga o le fa'apipi'i)	Anti-oxidation (e mafai ona tatalia le 1600°C oxidizing atemosifia mo se taimi umi)
Vaivai iniseti	Faigofie ona pala e kasa oona (e pei o le Cl₂, POCl₃)	Tete'e o le vai ma le alkali (e aofia ai fa'asalalauga malosi e pei ole HF, HNO₃)
Aafiaga fa'aleagaina o le pa'u	Fa'afaigofie ona fa'atupuina le fa'aleagaina o le pefu, e mafua ai fa'aletonu o le wafer	Lau'ele'ele mafiafia, e leai se fa'alavelave e masa'a ai ni vaega
Malosi masini	Fa'afaigofie ona fa'aleaga ile vevela maualuga (maualuga fa'aola fa'alautele fa'atasi)	Malosi maualuga (Mohs malo 9.2), malosi malosi tete'i vevela
Faʻaauau le gaioiga	Anisotropy, maualuga le lamatiaga o le vevela i le lotoifale	Fa'avevela vevela maualuga (120 W/m`K), fanua vevela tutusa

Alamanuia photovoltaic

Ogaumu PECVD: fa'aaoga e teu ai ata e fa'amanino (e pei o le silicon nitride). Silicon carbide vaega e manaʻomia ona tetee atu i le pomu ion e mafua mai i le susulu o le susulu i totonu ole siosiomaga plasma o le 400 ~ 500 ° C, aʻo aloese mai le faʻaleagaina o ata.

Ogaumu fa'asalalau: fa'aoga mo le fa'asalalauina o le phosphorus/boron e fai ai feso'ota'iga PN. Silicon carbide ogaumu paipa e manaʻomia e faʻafefe aʻa mai POCl₃ po BBr₃ kasa i le 800 ~ 1000 ° C ma faʻamautinoa le tutusa o le doping.

Alamanuia Semiconductor

Ogaumu fa'asalalau ma ogaumu fa'ama'i:

Ogaumu fa'asalalau: fa'aoga mo le fa'a'a'a'a'ina o le fa'agasologa ina ua mae'a fa'apipi'i ion. Silicon carbide va'a tioata e tatau ona aloese mai le tuʻuina atu o mea leaga (e pei o Fe, Ni), a leai o le a mafua ai le faʻateleina o le wafer leakage i le taimi nei.

Ogaumu fa'ama'i: fa'atupu fa'apala kaisa dioxide ile okesene mago po'o si'osi'omaga okesene susu. Silicon carbide ogaumu paipa e tatau ona faatumauina le maualalo okesene permeability i se vevela maualuga o le 1200°C e puipuia le mafiafia o le oxide layer mafiafia.

Ⅲ. O le a le lelei o mea faʻapipiʻi silicon carbide nai lo graphite?

E ui lava o mea graphite e iai le lelei o le tau maualalo ma le faigofie o le gaosiga, e sili atu le maualalo i le silicon carbide i mea taua nei:

Iloiloga fa'apitoa:

E tusa ai ma fuainumera o le gaosiga moni o Veteksemicon, i totonu o le ogaumu faʻasalalau semiconductor, e manaʻomia le suia o le vaʻa graphite i masina uma 3, aʻo le vaʻa carbide silicon e mafai ona tumau mo le sili atu i le 2 tausaga, ma ua faateleina le fua o le wafer e 5% ~ 10%.

E tusa ai ma faʻamatalaga o gaosiga na tuʻuina mai e Semixlab, I le faagasologa o le PECVD photovoltaic, e mafai e le faʻaogaina o le paʻu o le carbide silicon ona faʻateleina le malosi o le maa i le 2% ~ 5% ona o le leai o se faʻaleagaina o mea.

Ⅳ. aisea e filifili ai Semixlab?

Semixlab o se taʻutaʻua taʻutaʻua ma faʻatau oloa i Saina o loʻo taulaʻi i suʻesuʻega o graphite ma SiC coatings mo le 20 tausaga. I le maeʻa ai o tausaga o suʻesuʻega faʻapitoa ma atinaʻe, e mafai e le matou SiC coating process ona ausia le mama o le sili atu i le 99.98%, ma e mafai foi ona matou faʻapipiʻiina oloa carbide silikoni eseese mama ma tau e tusa ai ma au faʻataʻitaʻiga. Afai e te manaʻomia se oloa mama maualuga, e pei o le faʻafesoʻotaʻi tuusaʻo ma semiconductor wafer oloa, e mafai ona matou tuʻuina atu le CVD SiC coating, CVD TaC coating ma isi faʻagasologa i luga o le mea o le substrate e faʻafetaui ai au manaʻoga faʻapitoa faʻapitoa.