SiC SiC Coated Graphite Carrier Mo Wafer Solar
Semixlab SiC Coated Graphite Carrier o se fofo lagolago lagolago maualuga-fa'atinoina ua fuafuaina mo wafer solar ma semiconductor gaosiga. O lo'o fa'aalia ai se fa'alavalava CVD silicon carbide umi i luga o le kalafi maualuga mama, Lelei mo le fa'asalalauina, fa'afefeteina, PECVD/LPCVD fa'aputu ata manifinifi, tuputupu a'e o le epitaxial, ma le fa'avaveina o le vevela (RTP), o lenei va'a e fa'aitiitia ai le fa'aleagaina o vaega, fa'amautinoa le fa'amafanafanaina, ma fa'aleleia le fua o le wafer. O lona mamanu malosi ma le umi o le soifua tautua ua avea ai ma filifiliga fa'atuatuaina mo laina gaosiga fa'aonaponei fa'aonaponei, lagolago lelei ma maualuga le gaosiga o le la.
faʻamatalaga
O le matou SiC Coated Graphite Carrier o se fofo lagolago substrate maualuga-fa'atinoina fa'apitoa fa'ainisinia mo le fa'agai'iina o le la ma fa'aoga semiconductor. O lo'o gaosia i le graphite sili ona maualuga ma fa'apipi'iina i se tulaga tutusa o ausa vaila'au na teuina (CVD) silicon carbide (SiC), o lenei va'a e tu'ufa'atasia le malosi fa'avae o le kalafi ma le umi, mautu vaila'au, ma le fa'aogaina o le SiC. E fa'amautinoaina le lelei o le fa'afoeina o le wafer, umi le soifua tautua, ma le fa'aleleia atili o le fa'atuatuaina o le fa'agasologa i le vevela ma si'osi'omaga pala.

talosaga
Talosaga ile Semiconductor ma Solar Wafer Processing
O le siC-coated graphite carrier e iai sona sao taua ile gaosiga ole la. Latou te tautua e le gata e avea ma mea e ave ai le wafer ae o ni vaega autu mo le faʻamautinoaina o le faʻamautuina o le faagasologa ma le gaosiga o oloa. O a latou talosaga faʻapitoa e aofia ai:
1. Fa'asalalauina o le Vevela ma Fa'agasologa Fa'amau
I le gaosiga o sela, dopant diffusion ma le maualuga o le vevela o ni laasaga taua i le fuafuaina o le gaioiga o le cell. O fa'agasologa fa'asalalau e masani lava ona tupu ile vevela ile va ole 900-1250°C, e mana'omia ai le fa'amama e fa'amautu le vevela mo se taimi umi.
galuega tauave: SiC-coated graphite avefeau lagolago wafers i totonu o ogaumu faʻasalalau poʻo ogaumu paipa, faʻamautinoa le saʻo ma le faʻatulagaina i lalo o tulaga maualuga-vevela.
lelei: O le graphite substrate e maua ai le lelei tele o le vevela, faʻamautinoa le faʻamafanafanaina o le wafer. O le SiC coating e puipuia lelei le tuʻuina atu o le carbon mai le graphite i le maualuga o le vevela ma i le faʻamaʻiina o le ea, ma faʻaitiitia ai le lamatiaga o le faʻaleagaina o le wafer.
2. PECVD ma Tifi Manifinifi Deposition
O le PECVD (plasma-enhanced vapor vapor deposition) o se laasaga autu i le teuina o le silicon nitride (SiNx) anti-reflection ma passivation layers mo sela sola. O lenei faiga e a'afia sa'o ai le mitiia o le malamalama ma mea e toe tu'ufa'atasia ai le va'ava'a o sela sola.
galuega tauave: O le SiC-coated graphite carrier e lagolagoina le wafer i le potu PECVD, faʻamautinoa lona tulaga mautu i lalo o le gaioiga a le plasma.
lelei: Ole luga ole SiC e matua tete'e ile kasa plasma e pei ole hydrogen, fluorine, ma le chlorine, e tetee atu ai ile pala ma le fa'asa'olotoina o vaega. O lona luga lamolemole foi faafaigofieina toniga manifinifi teuina ata.
3. CVD/Epitaxial Growth Support
O le fauina o nisi mea e sili ona lelei le la (e pei o HJT, TOPCon, poʻo III-V) e aofia ai le CVD poʻo le MOCVD epitaxial deposition process.
galuega tauave: SiC-coated graphite avefeau e avea ma avefeʻau, faʻamautu le lagolagoina o wafers i le faagasologa o le tuputupu aʻe o le epitaxial ma fesoasoani i le faʻafefe o le vevela ma le puleaina o le kesi.
lelei: O le siC o le faʻalauteleina o le vevela e latalata i le silicon ma le ata epitaxial, faʻaitiitia le mamafa o le vevela ma puipuia ai le taʻe poʻo le faʻamalo o le epitaxial layer. E le gata i lea, o lona inertness kemikolo e fa'aitiitia ai le tali atu i mea e gaosia ma fa'aleagaina.
4. Ufiufi ma Fa'aliliuina
I le faagasologa atoa o le gaosiga o le wafers o le la, o lo'o fesiita'i i le va o laasaga eseese i le tele o taimi. Talu ai ona e manifinifi ma ma'ale'ale fasipepa, e o'o lava i sina fa'atamala e mafai ona tupu ai le ta'e po'o microcracks.
galuega tauave: SiC-coated graphite carriers e mafai ona avea ma fata uta poʻo mea faigaluega felauaiga tele, felauaiga o fafie i le va o ogaumu ma faʻagasologa o laasaga.
lelei: O le maualuga o le maaa ma le mautu o le siC coating e taofia ai le faamaligiina o ni vaega e mafua mai i le fete'ena'i ma le vibration, ma fa'aitiitia lelei ai le fa'aleagaina.
5. Fa'agasolo Fa'asao vave (RTP/RTA)
Fa'atekonolosi fa'amama vave e masani ona fa'aogaina e fa'aleleia ai le fa'aogaina o mea fa'afeso'ota'i ole la, e pei ole fa'agasolo po'o le fa'afeso'ota'i u'amea. O ona uiga e vave fa'avevela ma fa'amalieina, tu'uina atu le maualuga tele o mana'oga i luga o le tete'e fa'avevela o le va'a.
galuega tauave: SiC-coated graphite carriers e maua ai le lagolago ma le tutusa o le vevela mo wafers i le faagasologa o le RTP.
lelei: O le SiC coating e ofoina atu le sili atu o le tete'e o le vevela ma le mautu o le vevela, fa'amausaliina le fa'atonuga e o'o lava i le fiaselau o fa'avave fa'avevela ma fa'alili.
Fuafuaina e faʻamalieina manaʻoga faʻapitoa o laina gaosiga o le la, o lenei vaʻa e maua ai le tulaga faʻapitoa i luga o le eleele ma le faʻatupulaia o vaega laiti, ma avea o se vaega taua mo le ausiaina o fua maualuga ma le lelei i le gaosiga o le photovoltaic.
I Semixlab, matou te faʻapitoa i le tuʻuina atu o graphite maualuluga ma SiC-coated vaega mo le semiconductor ma alamanuia sola. O matou SiC Coated Graphite Carriers ua mamanuina e fesoasoani ai i tagata gaosi oloa ia ausia le maualuga o fua o le wafer, umi taimi faigaluega, ma le faʻaleleia atili o le faʻatuatuaina. Faʻafeiloaʻi e faʻatalanoa i matou i soʻo se taimi.
tatou Auaunaga

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