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SiC coating Graphite Barrel Suceptor
Faʻamatalaga Faʻamatalaga:
1. Isi igoa: Epitaxial ogaumu graphite paelo, SiC fata fa'apipi'i fata, wafer susceptor ituaiga paelo, graphite susceptor
2. Fa'aoga: Mo le fa'agasologa o le tuputupu a'e o le epitaxial
3. Fa'asologa autu: O le homogeneity o le kasa tafe fanua ma vevela fanua i le potu tali e mafai ona optimized e ala i le faaaogaina o le isostatic mamafa maualuga mama graphite matrix tuufaatasia ma vailaau ausa deposition (CVD) SiC coating tekinolosi ma le vevela tetee o le 1600 ℃, conductivity vevela o 300W/m·K ma mama ≥99.9995 ma le mama ≥XNUMX.
matua faaitiitia.
faʻamatalaga
SiC coating Graphite Wafer Epitaxy Barrel Suceptor o le mea autu lea e faʻaaogaina mo meafaigaluega tuputupu aʻe Si epitaxial, ma o lona mamanu e tuʻufaʻatasia ai le maualuga o le vevela o le graphite ma le malosi tele o le faʻafefe o le SiC coatings. O le substrate o se maualuga mama Sigley graphite (mama ≥99.9995%) faia e ala isostatic fetaomi faagasologa. O le 50μm mafiafia β-SiC coating na teuina i luga o le fogaeleele e ala i le CVD process. E poloka lelei le tu'uina atu o le fa'amama o le graphite matrix i le maualuga o le vevela (1200-1800 ℃) ma kasa malosi (e pei o le SiH.4, C3H8, ma H2), 'alo'ese mai le fa'ama'iina o wafer. Fuafuaga paʻu (mo 4/6/8 inisi meafaigaluega) E ala i le faʻaleleia o le ala o le ea ma le tufatufaina atu o le vevela, o le mafiafia o le mafiafia o le epitaxial e pulea i totonu o le ± 1.5%, ma le faʻaitiitia o le faaletonu i le <0.05cm-2. E le gata i lea, o le faʻalauteleina o le vevela o le SiC coating ma le graphite matrix e matua fetaui lelei (4.5 × 10).-6/K vs 4.8×10-6/K), aloese mai le ta'e o le ufiufi po'o le fa'amaligiina o vaega e mafua mai i le maualuga o le vevela, ma fa'amautinoa le fa'aogaina o meafaigaluega mo se taimi umi. O le vaega na faʻaaogaina i le wafer epitaxy production line o le taʻitaʻia o le semiconductor gaosi oloa i Saina, o le tau epitaxy tasi-umu ua faʻaititia e 40%, ma ua faʻateleina le gaosiga o le masini i le 98%.
Susceptor ituaiga paelo e faatusatusa i le susceptor panikeke
| uiga | Susceptor Ituaiga paelo | Pancake Susceptor |
| Tulaga tutusa o le vevela | Fa'asa'o la'ititi la'ititi ona o le fa'afefe o le ea i luga ma le fa'atusa fa'avevela (mana'omia se taui lavelave o le vevela). | E maualuga le tutusa o le vevela, ma e sili atu le tutusa o le vevela i le vaalele. |
| Fa'alelei le kesi | O lo'o fa'ata'amilo le ea i luga o le puipui paelo, ma e faigofie lava ona togitogia/tu'u pito ma'i. | O le tafe e sa'o i luga o le wafer, ma o le tafe ma le itu e faigofie ona pulea. |
| Malosiaga ma tau | Ole maualuga ole gaosiga, talafeagai mo le gaosiga tele (maualuga numera o wafers ile iunite taimi). | Le maualalo o le gaosiga, talafeagai mo le R & D / laʻititi laʻititi gaosiga. |
| Tausiga lavelave | O le fausaga e lavelave, ma o le faamamaina ma le suia e umi se taimi. | Tatala mamanu, tausia faigofie. |
auiliili
| Fa'aletino fa'aletino o le CVD SiC coating | |
| meatotino | Tausaga masani |
| Fauga tioata | FCC β vaega polycrystalline, tele (111) fa'atatau |
| Density | 3.21 g / cm³ |
| maaa | 2500 Vickers malo (500g uta) |
| Fua o le Fua | 2 ~ 10μm |
| Mama Atoatoa i vailaʻau | 99.99995% |
| Malosiaga vevela | 640 J·kg-1·K-1 |
| Sulimation Temperature | 2700 ° C |
| Malosiaga fetuutuunai | 415 MPa RT 4-point |
| Young Modulus | 430 Gpa 4pt pi'o, 1300 ℃ |
| Thermal Conductivity | 300W·m-1·K-1 |
| Fa'alauteleina o le vevela(CTE) | 4.5 × 10-6K-1 |
talosaga
Fa'aoga mo le fa'a'a'oga epitaxy/CVD.
Ole tele ole fa'aoga ile masani ole LPE po'o le CVD masini (pei o le amataga o faiga Aixtron).
Faʻamanuiaga Faʻamasino
Tete'e atu i le si'osi'omaga sili ona pala: β-SiC coating e tete'e i le tafia o le plasma ma le oxidation, ma o lona olaga e 5 taimi umi atu nai lo le graphite uncoated.
Sa'o le fa'atonutonuina o le fa'amama: fa'alava paelo e fa'aitiitia ai le vevesi, e fetaui lelei le fa'aogaina o le vevela ma le mea fa'apipi'i, ma aloese mai le fa'aletonu o le fa'amama.
Le afaina o le leai o se lamatiaga: sili-maualuga le mama substrate ma ufiufi, uamea eleelea (Fe, Al) anotusi <0.1ppm.
Au'aunaga fa'agasologa atoa: lagolago matrix processing, fa'apipi'i fa'apalapala, fa'ata'ita'iga fa'ata'ita'iga tasi le tu'uina atu.
