TaC ufiufi porous graphite

Semixlab's Tantalum Carbide (TaC) Coated Porous Graphite Ring (Tantalum carbide coated porous Graphite Ring) o se vaega graphite maualuga-faʻatinoina ua fuafuaina faapitoa mo le tuputupu ae o tioata carbide (SiC) tasi tioata. O lenei oloa e faia i le maualuga o le mama porous graphite substrate ma faʻapipiʻiina i le maualuga o le vevela ma le faʻafefeteina tantalum carbide (TaC) faʻapipiʻi i luga. O lo'o fa'aalia ai le tete'e lelei o le vevela, fa'amautu fa'ama'i ma le umi o le tautua, ma o se fa'aoga autu e fa'aaogaina i totonu o le ogaumu tuputupu a'e tioata SiC (Metotia PVT).

Faʻaputuga mea

1. High-mama porous substrate graphite

Ultra-maualuga mama (≥99.9999%) isostatic graphite ua faʻaaogaina, faʻatasi ai ma porosity pulea, faʻamautinoa lelei le tutusa o le vevela ma le kesi, ma faʻamalieina le siosiomaga tuputupu aʻe o tioata tasi SiC.

Le maualalo o le afu ma le maualalo o le eleelea, faʻaitiitia le lamatiaga o le faʻaleagaina i le faagasologa o le tuputupu aʻe tioata.

2. Tantalum carbide (TaC) puipuiga ufiufi

TaC coating o loʻo faʻaalia ai se mea e sili ona maualuga le liusuavai (~ 3880 ℃) ma le sili ona lelei o vailaʻau faʻamaʻi, puipuia lelei le graphite mai le tali atu i le Si / C vapor i le maualuga o le vevela ma faʻaitiitia ai le faʻamaligiina o vaega graphite e faʻaleagaina ai tioata.

O le ufiufi e mafiafia ma toniga, faʻaleleia atili le faʻamaʻiina o le faʻamaʻiina ma le faʻamaʻiina o le mama graphite ma faʻaumiina lona ola tautua.

3. Fa'amautu lelei vevela

O loʻo i ai se faʻatusatusaga maualalo o le faʻalauteleina o le vevela ma le malosi o le teteʻe o le vevela, e talafeagai mo le faʻavavevave o le vevela ma le pa'ū i le faagasologa o le tuputupu aʻe o tioata tasi SiC (i luga aʻe o le 2000 ℃).

O le maualuga o le vevela e mautinoa ai le tufatufaina atu o fanua vevela ma faʻaleleia le lelei o le tuputupu aʻe tioata.

4. Fa'ailoga fa'apitoa

Ole tele ole pore, porosity, fua ole mama graphite ma le mafiafia o le TaC coating e mafai ona fetuutuunai e tusa ai ma manaoga o tagata faatau e faʻafetaui i ituaiga eseese o ogaumu tuputupu aʻe tioata SiC (e pei o le faʻavevelaina o le faʻavevela poʻo le faʻamafanafanaina o ituaiga).

Faʻamatalaga Faʻamatalaga:

Igoa fa'aigoa: Porous graphite, TaC coated porous graphite mama, graphite mama, Tantalum carbide coating porous graphite mama, porous graphite mama mo SiC tioata tuputupu ae

Faamoemoega: Faʻamautinoa le faʻamautuina o le faʻapipiʻiina o ata sili ona lelei i le faagasologa o le PECVD, aʻo faʻateleina le gaosiga lelei o meafaigaluega ma le gaosiga o wafers.

Autu autu: Porosity: 10% -30%, mea faʻapipiʻi: TaC faʻapipiʻi, faʻapipiʻi mafiafia: 30±5um, maualuga auaunaga vevela: 2200 ℃ (inert / vacuum siosiomaga), mama ≥99.9999%, coefficient o le faʻalauteleina vevela ≤5 × 10⁻⁶ / K (2000℃ vevela)

Taʻiala faʻamatalaga

Faʻaaliga faʻaaogā

● SiC tasi tioata tuputupu aʻe (PVT auala): I le avea ai o se vaega crucible po o vaega fanua vevela, e faʻaaogaina mo le sublimation ma le tioata deposition o mea mata SiC i siosiomaga maualuga-vevela.

● Sauniuniga o isi mea semiconductor maualuga-vevela: e pei o faagasologa tuputupu ae tioata mo semiconductors lautele bandgap pei GaN ma AlN.

● Umi le auaunaga: 

O le ufiufi o le TaC e faʻaitiitia ai le gau o le kalafi, faʻaititia le taimi e sui ai ma sefe tau.

● tulaga maualuga tioata: 

Faʻaitiitia le faʻaleagaina o vaega ma faʻaleleia le mama ma le faʻamaoni tioata o tioata tasi SiC.

● Fa'atuatuaina sapalai: 

O se faiga fa'atonu lelei e fa'amautinoaina le fa'atumauina o le fa'aputuga ma lagolagoina mana'oga tetele o le gaosiga.

● Auaunaga lagolago:

Tuuina atu faʻatalanoaga faʻapitoa, faʻataʻitaʻiina o le mamanu o le fanua vevela ma le maeʻa o le faʻatau atu auaunaga.

Lagolago le fa'atulagaina masani e fa'amalieina mana'oga fa'apitoa.

● Fa'atauga talafeagai: 

SiC substrate gaosi oloa, semiconductor meafaigaluega gaosi oloa, suesuega faalapotopotoga, ma isi.

Mo nisi faʻamatalaga poʻo faʻataʻitaʻiga suʻega, faʻamolemole faʻafesoʻotaʻi matou!