Porous TaC Coated Graphite Ring

Porous TaC Coated Graphite Rings mai Semixlab o vaega taua ia i si'osi'omaga semiconductor maualuga mana'omia, e maua ai le tumau e le mafaatusalia, mautu, ma le fa'atinoina o galuega. O latou filifiliga sili mo SiC epitaxy, GaN MOCVD, faʻasalalauga, ma faiga CVD lea e taua tele ai le faʻatuatuaina ma le faʻatinoga.

Mea ma Meatotino

● Graphite Base: High-density isostatic graphite ma le fausaga porous mo le faʻaitiitia o le vevela ma faʻaleleia le vevela.

● Tantalum Carbide Coating: Tantalum carbide maualuga-liusuavai (3880 ° C) faʻamautinoaina le maaa tele, le faʻaogaina o vailaʻau, ma le tumau umi i kasa o gaioiga faigata.

● Pous Design: Faʻaleleia le tufatufaina atu o le kesi, faʻaitiitia le faʻalavelave faʻapitonuʻu i le taimi vave o le uila vevela, ma faʻaitiitia le faʻaleagaina o vaega.

Au'aunaga Semixlab

● Fuafuaga Fa'apitoa & Fua e fa'atatau ile epitaxy fa'apitoa po'o mea faigaluega o le ogaumu.

● Mea Maualuga-Mama e faʻamalieina manaʻoga faʻaleagaina semiconductor.

● Faʻatonuina le Tulaga Lelei faʻamautinoaina le mafiafia o le ufiufi, pipii, ma le sili atu o le porosity.

● Global Technical Support mo semiconductor fabs ma meafaigaluega gaosi oloa.

Faʻafesoʻotaʻi Semixlab i aso nei e talosagaina faʻataʻitaʻiga, faʻamatalaga faʻapitoa, poʻo fofo faʻapitoa.

Talosaga Autu i Fa'agasologa Semiconductor

1. Fa'agasologa o Epitaxy (SiC, GaN, ma Si)

I fa'agasologa o le tuputupu a'e o le epitaxial e pei ole MOCVD, CVD, ma le SiC epitaxy, o mama graphite fa'apipi'iina o le TaC o lo'o i ai se sao taua i fa'apotopotoga susceptor ma fa'atonuga o le tafega o kesi. O la latou mamanu porous e fesoasoani e fa'atonutonuina le tufatufaina atu o kesi, puipuia ai le vevesi ma fa'amautinoa le tu'uina atu o mea muamua i luga o le wafer. O le mea lea e maua ai le fa'aleleia atili o le mafiafia o le laulau, fa'aitiitia le fa'aletonu, ma le maualuga o le gaosiga o masini. O le TaC coating e puipuia ai le graphite substrate mai mea faʻamalosi e pei o le HCl, NH₃, silane, ma le hydrocarbons, faʻalauteleina le ola tautua i lalo o tulaga maualuga-maualuga faifaipea (>1500°C).

2. Ogaumu Fa'asalalauina ma Fa'amau

I le taimi o le faʻasalalauina o le dopant ma le faʻafefeteina o le vevela pe a uma ona faʻapipiʻiina ion, e faʻaogaina mama graphite e fai ma lagolago ma elemene paleni vevela i totonu o le ogaumu. O lo latou faufale fa'aluma e fa'aitiitia ai le mamafa o le vevela, fa'agaoioi ai le fa'avavevave o le fa'aoso ma le fa'amalo i lalo ao fa'aitiitia le mamafa o le vevela i luga o fafie. O le ufiufi TaC e puipuia ai le faʻamaʻiina ma le faʻaleagaina o vailaʻau, faʻamautinoaina o le mama o loʻo faʻatumauina le saʻo faʻavae i luga o taʻamilosaga vevela faifaipea. E ala i le fa'amautuina o si'osi'omaga wafer, e fesoasoani nei mama e maua ai tala'aga o le dopant faifaipea ma fa'aitiitia ai le fa'a'au'au.

3. PECVD ma LPCVD Chambers

I le PECVD ma le LPCVD reactors, porous TaC coated graphite mama e galue e pei o potu laina, vaega puipui, poʻo mama lagolago. O nei si'osi'omaga e masani ona fa'aalia mea i le pomu plasma ma kasa sili ona pala e pei o le fluorine-ma le chlorine-based species. O le fa'aofuofu TaC e fa'aalia ai le maualuga o le tete'e atu i le etching ma le tafia o le plasma, e fa'aitiitia ai le fa'amaligiina ma le fa'aleagaina. E le gata i lea, o le mamanu porous e fesoasoani e fa'amama le vevela sili atu, faʻamautinoa le mautu o le faʻaputuina o ata tifaga ma faʻaleleia atili le toe faia.

4. Si'osi'omaga Etching ma Deposition

I le fa'amamago fa'amamago ma le fa'aputuina o ata manifinifi, o mama graphite fa'apipi'iina o le TaC e fai ma pa puipui ma fa'amautu elemene e fa'aitiitia ai le tu'u i tua ma le fa'aosoina o le plasma o vaega fa'aaluma. O le maaa o le ufiufi ma le inertness kemikolo puipuia tali le manaʻomia i kasa faagasologa, faʻaitiitia puna faʻaleagaina. O la latou talosaga e taua tele i le tausisia o le mama o potu, faʻaleleia le taimi, ma le puipuia o wafers maualuga tau mai le faʻaleagaina o meaʻai.