Mama Ufiufi TaC mo le SiC Epitaxial Reactor

I totonu o reactors epitaxial silicon carbide, e masani ona sili atu le vevela o le fa'agaioiga i le 1600 °C i lalo o le ea e matua'i 'ele'elea ai le hydrogen ma le chlorine. O le fa'atinoga o vaega o le pulea o tuaoi ma pito e a'afia sa'o ai le lelei o le vaega epitaxial, le tutusa o le fua, ma le taimi e fa'agaoioia ai masini. O mama ufiufi tantalum carbide (TaC) a Semixlab ua mamanuina fa'apitoa e fa'afetaui ai nei mana'oga faigata i siosiomaga o gaosiga tetele. O nei mama e avea o ni vaega taua o galuega tau vevela maualuga mo reactors epitaxial SiC, e fa'amautinoa ai le mautu o le fa'agasologa i se taimi umi, le tuputupu a'e tutusa o le epitaxial, ma le mama o le reactor.

I faiga epitaxy a le SiC, o mama ufiufi tantalum carbide (TaC) e tuʻu i tafatafa o pito o le wafer poʻo totonu o sone fesuiaʻiga o le reactor mo le tafe o le vevela ma le kesi. O la latou galuega autu o le faʻamautuina lea o le suiga o le vevela i le lotoifale ma le amioga o le tali atu o le vaʻa i pito o le wafer—o vaega e sili ona faigofie ona faʻaputuina ai parasite e le pulea ma le le tutusa o pito. E ala i le faʻamatalaina saʻo o tuaoi o le tali atu ma le taofia o le silicon ma le carbon deposition e le manaʻomia, o nei mama ufiufi e faʻaleleia atili ai le tutusa o le mafiafia o le epitaxial ma le tutusa o le dopant mo wafers SiC tetele.

Na filifilia e le Semixlab le ufiufi tantalum carbide ona o lona tulaga mautu i le vevela, le le gaoioi o vailaʻau, ma le teteʻe atu i le ele o le halide. Faatasi ai ma le tulaga e sili atu i le 3880 °C le melting point ma le fetaui lelei ma le H₂, HCl, ma isi vailaʻau ele e masani ona faʻaaogaina i faiga epitaxy o le silicon carbide, e puipuia lelei e le TaC le substrate o loʻo i lalo mai le soloia ma le faʻaleagaina o le fausaga. O lenei fausaga ufiufi maualuga le mafiafia ma maualalo le porosity e faʻaitiitia ai le gaosiga o vaega, faʻaitiitia ai le lamatiaga o microcracks poʻo le delamination, ma faʻamautinoa ai tulaga mautu o le reactor i taimi o taamilosaga faʻagaoioia umi.

Pe a fa'atusatusa i vaila'au masani e fa'aaogaina ai le silicon carbide po'o le graphite susceptor, o le tete'e sili atu o le Tantalum Carbide Coating i le ofuina ma le 'ele'ele e fa'alauteleina ai le umi e ola ai le vaega, ma fa'aitiitia ai le tele o le tausiga ma le fe'avea'i o le fa'agasologa e feso'ota'i ma le suiina o vaega. Mai se va'aiga tau o le gaosiga, o le mama o le Tantalum Carbide Coating e fa'aleleia atili ai le toe faia o le fa'agasologa ma le taugofie. Mo laina gaosiga epitaxial maualuga ma le gaosiga o masini eletise fa'aonaponei, o lenei mautu e fa'aliliuina i le maualuga o le fua, fa'aaogaina lelei o masini, ma tau maualalo o le gaosiga.

I le avea ai ma se kamupani tekonolosi taʻimua i le vaega o faiga faʻatekonolosi semiconductor epitaxial i Saina, o le Semixlab e iai le tomai loloto i tekinolosi ufiufi faʻaonaponei ma mea faʻatekonolosi semiconductor. O la matou TaC Coated Ring mo le SiC Epitaxial Reactor ua faʻamaonia o le a atiaʻe ma gaosia i lalo o tulaga faʻatonutonu lelei e matuaʻi faʻamalosia. O loʻo tumau pea le tuuto o le Semixlab i le tuʻuina atu o tekinolosi faʻaonaponei ma fofo faʻapitoa a le TaC Coated Ring mo le SiC Epitaxial Reactor i le alamanuia semiconductor. Matou te tulimatai atu ma le faʻamaoni e avea ma au paʻaga tumau i Saina.