Ogaumu tuputupu aʻe tioata SiC e teteʻe-faʻavevela tele

O le Semixlab Large-Sized Resistance-Heating SiC Crystal Growth Furnace e foia ai faʻafitauli autu i le sapalai o meafaitino SiC: tutusa o le tioata, faʻaitiitia o mea sese, ma le faʻateleina i substrates tetele. O le fausaga o le teteʻe-faʻavevela e faʻamautinoa ai le toe gaosia o le vevela e ala i elemene faʻavevela graphite e matua mautu, e mafai ai ona faʻatonutonuina le sublimation o meafaitino SiC mama maualuga ma toe faʻafouina tutusa i luga o le fatu.

I totonu o le siosiomaga tuputupu aʻe o le PVT, e faʻatuina e le ogaumu se siosiomaga e faʻatonutonuina lelei le gaogao poʻo le inert-gas ambient e lagolagoina ai le tuputupu aʻe o le tioata e matua maualalo le faʻaleagaina. O lona pulega o le vevela PID e tele-sone ma le puipuiga faʻainisinia e faʻamautinoa ai le fesuiaiga lelei o le vevela i le va o le puna o le SiC ma le fatu, faʻamautuina ai le gaioiga o felauaiga o le tele e faʻamatalaina ai le saoasaoa o le tuputupu aʻe o le boule, le tutusa o le radial, ma le tutusa o le teteʻe eletise. Mo substrates SiC ituaiga-N ma semi-insulating, e ofoina atu e le ogaumu le pulea lelei o le ea e lagolago ai le dopant tight ma le pulega o mea sese.

O le polokalama fa'atonutonu fa'aonaponei a le polokalama e maua ai le mata'ituina i le taimi moni o le tufatufaina o le vevela, tulaga o le mamafa, ma tulaga o le tuputupu a'e, e mafai ai ona faia se faiga gaosiga e mafai ona toe faia ma fa'atautaia e fa'amaumauga e fetaui ma mana'oga fa'aonaponei o le lelei o semiconductor. Fa'atasi ai ma le mamanu o le potu e mafai ona fa'alauteleina, mea e fa'amalosia ai le vevela maualuga, ma vaega fa'avevela e umi le ola, e lagolagoina e le ogaumu le fa'alauteleina o taumafaiga tuputupu a'e ma fa'aitiitia ai le tau atoa o le umiaina (TCO) mo kamupani gaosi oloa SiC.

O le Ogaumu Tuputupu Aʻe o le SiC Crystal Teteʻe-Faʻavevela Tele a le Semixlab e fetaui lelei mo kamupani gaosi oloa o loʻo taumafai e sui agai i le gaosiga o le SiC boule e 6- ma le 8-inisi, faʻalauteleina le gafatia o le substrate SiC maualuga-voltage. I le tuʻufaʻatasia o le inisinia faʻavevela saʻo ma le pulea malosi o le faʻagasologa o le semiconductor-grade, e tuʻuina atu e le Semixlab se faʻavae tuputupu aʻe e faʻamalosia ai tagata faʻatau e faʻavavevave le atinaʻeina o tekinolosi SiC aʻo faʻatumauina pea le lelei o meafaitino, le fua, ma le lelei o le gaosiga.

O foliga vaaia ma faʻasologa autu o le ogaumu tuputupu aʻe tioata SiC:

● Faiga o le PVT

● Fa'avevela e tete'e atu i le kalafi

● Vevela o le fa'agaioiga (maualuga): 2400℃.

● Vave fa'amama atoatoa：≤9X10-5Pa.

● Saosaoa o le Siitia o le Mamafa：≤1.0Pa/12h (malulu).

● Ua ausia ma sili atu i le tulaga faatonuina na faatulaga e kamupani faavaomalo taʻimua i lenei alamanuia, ma o le sili lea i le alamanuia.

● Le malosi o le vaega tuputupu aʻe o le tioata：34.0KW.

● O lenei ogaumu e tutusa ma le ogaumu tuputupu aʻe tioata teteʻe e sili ona maualalo le faʻaaogaina o le malosi ma e mafai ona faʻaitiitia ai tau o le faʻagaioiga.

● Le sa'o o le puleaina o le mamafa：0.15Pa (O le vaega o le tuputupu a'e o le tioata)

● O le laʻititi o le telē na faʻaleleia atili ai le saoasaoa o le faʻaaogaina o le avanoa ma le mafiafia o le tuʻuina o masini.