mama pito SiC
O le Solid SiC Edge Ring o se vaega sima maualuga e faʻaaogaina i faiga etching plasma semiconductor. Fa'ainisinia mai le silicon carbide maualuga mama, e maua ai le malosi o le plasma resistance, vailaʻau tumau, faʻamautu vevela, ma le umi o le auaunaga. Fa'atasi ai ma se mea lamolemole ma mea fa'atosina, e fa'amautinoa ai le puipuiga lelei o le wafer ma le mama o potu. Semixlab ofo atu fofo faʻapitoa ma faʻasalalau vave. Fa'afeiloa'i e fa'atalanoa.
faʻamatalaga
Autu Fa'atinoga Fa'atinoga
Semixlab Bulk SiC Edge Ring ua faʻainisinia e faʻafetaui ai manaʻoga faigata o le gaosiga o le semiconductor e sosoo ai. O uiga fa'atinoga o lo'o mulimuli mai e avea ai ma filifiliga sili mo potu etch plasma i fale fa'apitoa:
● Lelei Faʻasaga i Pomu Plasma
Fausia mai le silicon carbide mautu mama, o le mama pito o loʻo faʻaalia ai le faʻaleleia o le plasma maualuga, faʻamautinoa le laʻititi laʻei ma faʻalauteleina le ola o vaega i lalo o le malosi o le pomu ion.
● Sili Fa'asao Fa'asa'o
SiC meafaitino ofoina atu inertness maualuga kemikolo, lelei e tetee atu corrosive etch kasa e pei o Cl₂, CF₄, ma SF₆ e aunoa ma le faaleagaina o luga, e oo lava i siosiomaga maualuga-vevela.
● Mata'ina Te'i Te'i ma Tete'e Fa'amama
Faʻatasi ai ma le faʻaogaina o le vevela o le 120-150 W / m · K ma le maualalo o le faʻalauteleina o le vevela (~ 4.5 × 10⁻⁶ / K), o le fausaga malosi o le SiC e faʻatumauina le mautu ma le faʻaogaina o masini i le taimi vave o le uila.
● Lau'ele'ele Smooth, Fa'agaioiina e Sa'oloto
O auala fa'auma fa'auma e fa'amautinoa ai le maualalo o le ga'a (Ra ≤ 0.2 µm), fa'aitiitia le fa'atupuina o vaega ma fa'afaigofie le fa'amamaina o potu, lea e fa'aitiitia ai le taimi fa'aletonu.
● Leai se Pa'u po'o Fa'aletonu I le Taimi
E le pei o mama pito tu'ufa'atasi masani, o la tatou mamanu SiC monolithic e tumau pea ma mautu i taimi uma fa'asolosolo fa'agasolo, fa'aolaina le fa'atinoga fa'atuatuaina i le umi o le tautua.

Aisea e Filifilia ai Semixlab SiC Edge Rings?
I Semixlab, matou te tuʻuina atu tulaga sili ona lelei e lagolagoina e tomai ma faʻafouga. O le mea lea e tulaga ese ai Semixlab SiC Edge Rings:
● Fofo Fa'atatau Fa'apitoa
Matou te tuʻuina atu faʻapitoa faʻapitoa e faʻavae i luga o au faʻamatalaga faʻagasologa, e aofia ai totonu / fafo diameters, mafiafia, ma faʻapipiʻi faʻapitoa faʻapipiʻi poʻo mea lanu, faʻamautinoa le fetaui lelei ma le faʻatinoga lelei i totonu o lau potu etch.
● Aofa'iga Aofa'iga o Ituaiga
Semixlab e lagolagoina le tele o mea faigaluega etch e aofia ai TEL, Lam, AMAT, ma faiga masani OEM, faʻatasi ai ma mama faʻapitoa ma meafaigaluega faʻapitoa e avanoa e fetaui ma manaoga eseese.
● Tulaga Mausali, Fa'atauga vave
Faatasi ai ma le gaosiga ISO-faamaonia, pulea lelei lelei, ma se laina faʻapipiʻi faʻapipiʻi, matou te mautinoa le faʻatinoina o vaega, taimi pupuu, ma le tuʻuina atu i le taimi e faʻagasolo ai lau gaosiga e aunoa ma se faʻatuai.
auiliili
Meatino Autu o le Solid SiC
| Mea fa'aletino ole Solid SiC | |||
| Density | 3.21 | g / cm3 | |
| Tete'e o le Eletise | 102 | Ω/cm | |
| Malosiaga fetuutuunai | 590 | MPa | (6000kgf/cm2) |
| Young Modulus | 450 | GPa | (6000kgf/mm2) |
| Vickers Malosi | 26 | GPa | (2650kgf/mm2) |
| CTE(RT-1000℃) | 4.0 | x10-6/K | |
| Fa'avevela vevela(RT) | 250 | W / mK | |
talosaga
Fa'aoga ile Semiconductor Manufacturing
O le Solid SiC Edge Ring o se vaega taua i le faʻaogaina o le plasma wafer silicon, lea e avea o se puipuiga ma le faʻatulagaina o fesoʻotaʻiga i le va o le wafer ma le masini potu. O lo'o tu'u fa'ata'amilo i le pito o le wafer, o lenei vaega e fa'amautinoaina le mautu o le fa'agasologa, puipuia le pa'u eletise (ESC), ma fa'aitiitia ai a'afiaga fa'aleagaina e ala i le puipuia o le fa'aputuina o vaega. E taua tele i le faʻamago faʻamago maualuga ma le RIE (Reactive Ion Etching) siʻosiʻomaga lea e taua tele ai le toe faia o le faagasologa, puipuiga o potu, ma le faʻatuatuaina umi.
tatou Auaunaga

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