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Mama Fa'atatau CVD Solid SiC
O mama fa'apitoa CVD SiC a Semixlab ua mamanuina mo siosiomaga fa'apitoa o le etching plasma, e maua ai le mautu lelei o le plasma, maualalo le fa'aleagaina, ma umi le ola tautua. O lo'o gaosia e fa'aaoga ai le high-density chemical vapor deposition (CVD) silicon carbide, o nei mama fa'apitoa e maua ai le tete'e sili atu i le fa'aleagaina o le plasma ma osofa'iga fa'akemikolo, ma avea ai ma mea lelei mo faiga fa'apitoa o le etching i le gaosiga o semiconductor. Matou te tulimatai atu i au fesili fa'aopoopo.
faʻamatalaga
Inisinia o le Lumanai o le Sub-7nm Etch Yield99.99999% Ultra-High Purity | HAR Etching Mausali | Suiga Sili Atu i Mama Silicon
I le vaitau o le silia ma le 300 vaega o le 3D NAND ma le GAA transistors, o mea masani e fa'aaogaina o le mafua'aga autu lea o fa'afitauli o le fua. O mama fa'atatau CVD solid SiC a Semixlab ua mamanuina e taulimaina le plasma maualuga-density e mana'omia mo le fa'apipi'iina o le fua fa'atatau maualuga (HAR). Latou te fatuina se siosiomaga mautu, e leai ni vaega e le mafai e mama silicon (Si) masani ona tu'uina atu.
Tulaga Fa'atonuina o Alamanuia: Aisea e Suia ai e Kamupani Ta'imua le SiC Malosi
7-Nines (99.99999%) Mama Fa'ametala: Fa'aaogaina la matou faiga fa'apitoa o le Advanced Chemical Vapor Deposition, matou te ausia ai le aofa'i o mea leaga fa'ametala < 0.1 ppm. E taua tele lenei mea i le 'alofia o fa'aletonu e feso'ota'i ma le fa'aleagaina o u'amea mamafa i totonu o masini fa'atekonolosi ma manatua fa'atekonolosi fa'atekonolosi.
Pulea o le Precision Edge Roll-off (ERO): O a matou mama SiC malolosi e taofia ai le tete'e eletise mautu ma le maualuga o le conductivity vevela (≥ 150 W/m·K). O lenei mea e fausia ai se ufi plasma tutusa i le pito o le wafer.
O lenei mea e foia sa'o ai fa'afitauli o le Edge Roll-off lea e fa'alavelave ai i le tutusa o le wafer e 12-inisi.
Tete'e atu i le 'Erosion' mo le HAR Etching: I le plasma e maualuga le malosi e fa'avae i le Fluorine (CF4/CHF3) ma le Chlorine (Cl2), o le Solid SiC e fa'aalia ai se fua fa'atatau o le 'erosion' e 80% le maualalo nai lo le single-crystal Silicon. O lenei mea e fa'alauteleina ai le vaitaimi o le PM (Preventative Maintenance), ma fa'aitiitia ai le Total Cost of Ownership (CoO).
Fa'amautu "Malō" Monolithic: E le pei o le Graphite ua valiina i le SiC, o a matou vaega e 100% mafiafia le SiC. O lenei mea e ave'esea ai le lamatiaga o le Micro-cracking po'o le Coating Delamination, e puipuia ai le fa'aleagaina tele o vaega i taimi o ta'amilosaga eli malosi ai.
Fa'alelei mo Fa'avae o le Etch o le Isi Tupulaga
O la matou nofoaga gaosi oloa e faʻaaogaina le 5-axis High-Speed CNC ma le Laser Metrology e faʻamautinoa ai le 100% fetaui ma faʻamatalaga a le OEM mo:
● Fa'a'ofuofuina o le Alava'a: Fa'a'ofuofuina o le Poly-Si ma le Silicide.
● Dielectric Etch: Feso'ota'iga Maualuga o le Aspect Ratio (HAR) ma le etching o le lua.
● Fegalegaleaiga: Suiga tu'u fa'atasi mo fa'avae o le Lam Research (Kiyo/Versys), Applied Materials (Centris), ma le TEL (Tactras/Vigus).
auiliili
| Parameter Technical | Semixlab CVD Solid SiC | Fa'ailoga o le Alamanuia (Si) | Tauvaga Tauvaga |
| Mama Atoatoa i vailaʻau | 99.99999% (7N) | 99.999% (5N) | Aveesea le tafe o le ion |
| Vaega Fa'aopoopo | 100% β-SiC (Kupika) | Si Kilisitala Tasi | Tete'e i le fa'a'ese'esega o le isotropic |
| Density aiga | ≥99.8% (3.20 kalama/cm3) | N / A | Fausaga e leai se porosity |
| Vickers Malosi | 28 - 30 GPa | ~9 GPa | Tetee atu i le osofa'iga o le ion |
| Luga o le Laupapa | Ra <0.2 μm | Ra ~0.5μm | Pipii fa'aitiitiga o le polymer |
talosaga
Avanoa Fa'aoga autu
Afai e manaʻomia le mama atoatoa ma le malosi o le plasma, o la matou CVD Solid SiC e avea ma tulaga faʻatonuina o le alamanuia:
● Fa'ateleina o le 3D NAND & DRAM: Ua mamanuina mo lu'itau o le HAR (High Aspect Ratio) etching. E maua ai le mautu e mana'omia e etching ai i le silia ma le 300 vaega e aunoa ma le fa'aleagaina o le foliga.
● Vaega Fa'alogika Sub-7nm: Aemaise lava mo fausaga o le FinFET ma le GAA. Matou te fesoasoani i fab e aveese le faaleagaina o u'amea, puipuia le lattice maaleale o transistors o le isi augatupulaga.
● Nofoaga Autu mo le Semiconductor Malosiaga: Pe o le SiC epitaxy po'o le deep trench etching mo GaN, o a matou vaega e taulimaina avega vevela maualuluga o le gaosiga lautele-bandgap.
● TSV & Afifiina Fa'atekonolosi: Ua fa'alelei mo faiga fa'atino e ala i le Through-Silicon Via, ma fa'amautinoa ai le lamolemole o le puipui i autafa ma le sa'o o le tulaga fa'atulagaina e mana'omia mo le tu'ufa'atasia o le 2.5D/3D.
tatou Auaunaga
