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SiC Coated graphite fa'avevela mo MOCVD
O le Semixlab SiC Coated Graphite MOCVD Heater o se faʻavevela faʻavevela maualuga ua fuafuaina mo faiga faʻaogaina semiconductor e faʻaogaina ai le vailaʻau vailaʻau (CVD) e fausia ai se toniga, silicon carbide (SiC) faʻapipiʻi i luga o se mea e sili atu le mama graphite substrate.
faʻamatalaga
Oloa Auiliiliga
O le SiC Coated Graphite MOCVD Heater e tuʻufaʻatasia le lelei tele o le vevela o le graphite ma le maualuga o le vevela ma le faʻaleagaina o le SiC coatings, ma o loʻo faʻaaogaina lautele i mea faʻapipiʻi uʻamea uʻamea (MOCVD) e faʻamautinoa ai le mautu ma le mama maualuga i le faʻagasologa o le tuputupu aʻe o le epitaxy.
SiC Coated Graphite MOCVD Heater Mea Fa'amea
1. Ultra-maualuga mama ma mautu vailaau
Mama ≥99.99995%: O loʻo saunia la matou Graphite Heater i lalo o le maualuga o le vevela o le chlorination e ala i le CVD process, lea e aloese ai mai le faʻaleagaina o le uʻamea ma faʻafeiloaʻi ai le manaʻoga mo siosiomaga ultra-mama i le gaosiga semiconductor.
Anti-chemical corrosion: O le mafiafia ma le maualuga o le maaa o le SiC coating (Vickers hardness of 2500-2800) e mafai ona tetee atu i le tafia o acids, alkalis, salts ma solvents organic, lea e faaumiumi ai le ola tautua o meafaigaluega i le siosiomaga kesi pala.
2. Lelei maualuga maualuga teteʻe
Maualuluga o le vevela: e mafai ona tumau i luga o le 3000 ° C i le ea inert, fa'agaioiga mautu e oo atu i le 2200 ° C i le vacuum environment, ma le 1600-1700 ° C i le siosiomaga fa'ama'i, lea e talafeagai mo tulaga ogaoga o le potu tali MOCVD.
Maualalo Coefficient of Thermal Expansion (4.5 x 10-⁶K-¹): O lenei vaega o le MOCVD Graphite Heater e faʻaitiitia lelei ai le taʻe poʻo le paʻu o le ufiufi ona o suiga o le vevela, faʻamautinoa le saʻo o le fausaga i lalo o le uila umi o le vevela.
3. Fa'atonuina le fa'atinoina o le pulega fa'amalama
High Thermal Conductivity (200-300 W / mK): O le maualuga o le vevela o le Graphite MOCVD Heater e fuafua ai e mafai e le oloa ona vave ma faʻafeiloaʻi le vevela e ausia ai le tufatufaina atu o le vevela o le vevela (± 1 ° C), ma faʻaleleia lelei ai le tutusa o le epitaxial layer.
Laminar Gas Flow Field Design: A maeʻa le faʻaauauina o tekonolosi ma le faʻaleleia, o lo tatou MOCVD Heater faʻalelei (Ra ≤ 0.8μm) ma le geometry optimization faʻamautinoa le tufatufaina tutusa o kasa faʻafefe ma faʻaitiitia le faʻaogaina o le le tutusa e mafua mai i le vevesi.
auiliili
Fa'atusa Fa'ainisinia ma Fa'amanuiaga
| uiga | Semixlab SiC fa'avevela fa'avevela | Fa'avevela graphite masani |
| Maualuluga o le fa'aogaina o le vevela (inert) | 3000 ° C | 2500 ° C |
| Mama Atoatoa i vailaʻau | ≥99.99995% | ≤99.99 |
| Faʻaauau le gaioiga | 300 W / mK | 120-150 W/mK |
| Ufiufi pipii | 415 MPa (4-point punou) | 100-200 MPa |
| Olaga masani (taamilosaga) | > 500 taʻamilosaga | 100-200 taamilosaga |
Faʻamanuiaga Faʻamasino
Aisea Semixlab?
Customization: Semixlab ua tuuto atu i le tuʻuina atu o oloa faʻapitoa ma auaunaga faʻapitoa i a tatou tagata faʻatau. Matou te lagolagoina le faʻavasegaina o lapopoa e le masani ai (e oʻo atu i le 360mm le lautele) ma le mafiafia o le ufiufi (20-500μm) e faʻaogaina ai le tele o manaʻoga meafaigaluega.
Fa'ailoga Fa'alelalolagi: O le matou SiC Coated Graphite Heater e fa'amalieina SEMI, ISO 9001 fa'amaonia, ma oa matou oloa e masani lava ona fa'atau atu i Europa ma le Iunaite Setete, fa'apea Iapani ma Korea i Saute, fa'atasi ai ma se tau taua / fa'atinoga lelei.
Feso'ota'iga fa'atekinisi: Semixlab ua leva ona galulue fa'atasi ma fa'alapotopotoga su'esu'e maualuluga i Saina, e fa'aogaina ai tekinolosi fa'alavalava pateni (e pei o le CGT Carbon's SiC³ process) e fa'amalieina ai le tele o le ufiufi ma le tete'e o le vevela.
