Fa'aputuga o le paneta ua ufiufiina i le SiC
O le SiC Coated Planetary Susceptor e le Semixlab ua mamanuina mo siosiomaga gaosiga semiconductor fa'aonaponei e mana'omia ai le tutusa lelei o le vevela, fa'atuatuaina o le ta'amilosaga umi, ma le fa'agaioiga e aunoa ma le fa'aleagaina. Ua fa'apitoa ona atia'e mo le tuputupu a'e o le Si, SiC, ma le GaN epitaxial, fa'apea fo'i ma le CVD diffusion ma le fa'amafanafana i le vevela maualuga, o lenei susceptor o lo'o i ai se ufiufi puipui SiC mama maualuga e mafai ai ona fa'agaoioia lelei le wafer i totonu o siosiomaga fa'akemikolo malolosi ma le vevela e sili atu i le 1500°C. Ua mamanuina e fa'aitiitia ai le mafiafia o mea sese, fa'aleleia atili ai le mafiafia o le epitaxial, ma fa'alauteleina le taimi e fa'agaoioia ai masini. Matou te tulimatai atu i lau fesili.
faʻamatalaga
O le Semixlab's SiC Coated Planetary Susceptor ua mamanuina mo le epitaxy semiconductor o le isi tupulaga ma le CVD thermal processing, lea e taua tele ai le tutusa o le vevela, le tuputupu aʻe e aunoa ma ni faʻaletonu, ma le mautu o le potu i se taimi umi i le gaosiga o le masini. O lenei avega ua mamanuina faapitoa mo siosiomaga vevela maualuga e sili atu i le 1500°C ma le kemisi kesi faigata e masani ona maua i le silicon, SiC, ma le GaN epitaxial systems. O le ufiufi SiC faʻapitoa e maua ai se vaega puipui mafiafia ma maualuga le mama e puipuia ai le faʻaleagaina ma faʻamautinoa ai le mautu ma le umi o le faʻagaioiga i totonu o fale gaosi oloa faigata.
I faiga epitaxial semiconductor e pei o le tuputupu aʻe o le Si, SiC, ma le GaN, o le planetary wafer carriers e avea ma faʻavae autu o masini ma le vevela mo le felauaiga o wafers i totonu o le sone tali. O lo latou faʻaleleia atili o le thermal conductivity e mafai ai ona tufatufaina saʻo le vevela, ae o le planetary rotation system e faʻamautinoa ai le tutusa o le tuputupu aʻe, le faʻapipiʻiina o le dopant, ma le lelei o le tioata i le tele o wafers. I le gaosiga o masini eletise SiC, e oʻo lava i le ±1-2% o suiga o le vevela o le substrate e aʻafia ai le basal plane dislocation density ma le faʻatinoga o le masini. O le faʻaleleia atili o le thermal uniformity e maua mai i le SiC-coated planetary wafer carriers e fesoasoani i fabs e faʻaitiitia ai le defect density, faʻaleleia le tutusa o le mafiafia, ma faʻateleina le batch-to-batch yield.
E le gata i faiga epitaxial, o lenei susceptor e taua tele foi i le faasalalauina o le ausa kemikolo ma faiga o le fa'avevela, e avea o se feso'ota'iga mautu i le va o le puna o le vevela ma le fogāeleele o le wafer. O ona uiga e leai ni toega, e maualalo le vaega o le fogāeleele e fa'aitiitia ai lamatiaga o le fa'aleagaina i le taimi o le umi o le taamilosaga o le vevela, puipuia ai wafers mai le malepelepe, fa'aputuina o vaega, po'o le fa'aleagaina o le itu i tua. Pe a fa'atusatusa i fa'apotopotoga lagolago masani e fa'avae i luga o le graphite, o le mamanu ufiufi SiC a Semixlab e fa'alauteleina ai le umi o le tautua, fa'aitiitia ai le taimi e le toe fa'amamaina ai ma toe fa'afouina, ma maua ai tau maualalo mo laina gaosiga tetele.
O Semixlab SiC Coated Planetary Susceptor ta'itasi e gaosia e fa'aaoga ai mea e fa'apipi'i ai le graphite mama maualuga ma tekinolosi fa'atekonolosi fa'atekonolosi CVD SiC e fa'amautinoa ai le malosi o le pipii o le ufi, tutusa le mafiafia, ma le tete'e atu i le te'i vevela. O lo'o ofoina atu e le oloa ni fua ma ni fa'atulagaga e mafai ona fetu'una'i e fetaui ma fa'avae epitaxial ta'uta'ua e fa'aaogaina i le gaosiga o masini semiconductor masani. O auaunaga fa'apitoa a Semixlab e aofia ai le iloiloga o le fa'atinoga o le ufi, fautuaga fa'afetaui i potu, ma le puleaina o le olaga atoa, ua mamanuina e fesoasoani ai i fab e fa'alautele le gafatia, fa'atumauina le fua, ma fa'aleleia atili ai ta'amilosaga o le gaosiga o masini. Matou te tulimatai atu ma le fa'amaoni i au fesili fa'aopoopo.
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