TaC fa'apipi'i vaega afa masina mo LPE

Vaʻaiga lautele

Tantalum carbide (TaC) faʻapipiʻiina vaega afa masina o se vaega autu ua fuafuaina mo masini epitaxial silicon carbide (SiC), e pei o meafaigaluega LPE, e puipuia ai potu tali ma faʻaleleia le faʻamautuina o le faagasologa i le maualuga o le vevela, siosiomaga faʻaleagaina. Pe a faʻatusatusa i faʻauluuluga masani o le silicon carbide (SiC), o tantalum carbide coatings ua avea ma fofo faʻaleleia autu mo se augatupulaga fou o mea epitaxial semiconductor ona o lo latou maualuga maualuga o le vevela, vailaʻau faʻamaʻi ma le mautu o le vevela.

Fa'aaliga fa'aoga ma le taua

Tantalum carbide ufiufi afa masina vaega e masani ona faʻaaogaina i faʻataʻitaʻiga autu nei:

SiC epitaxial mea faigaluega tuputupu aʻe: i le LPE (suavai vaega epitaxial), CVD (vau fa'a'ave'au vaila'au) ma isi faiga, e avea o se vaega puipuia o le potu tali, ina ia mautinoa le maualuga o le vevela tutusa ma le faagasologa faifai pea.

Tulaga lona tolu o gaosiga semiconductor: talafeagai mo le gaosiga o lapisi epitaxial epitaxial gap gap gap e pei o le silicon carbide (SiC) ma le gallium nitride (GaN), e faʻafetaui ai manaʻoga o laupepa epitaxial maualuga mo taavale eletise, 5G fesoʻotaʻiga, ma masini aerospace.

Fa'atusatusaga fa'atasi ma le fa'alavalava fa'a'a'amea masani

Tekinolosi iloa ma faiga fou

O le tantalum carbide coating o loʻo saunia e le muamua vailaʻau vaʻaia (CVD) poʻo le faʻaogaina o le ausa faaletino (PVD), faʻamautinoaina se paʻu mafiafia e aunoa ma ni faaletonu ma se toniga ma le mafiafia e mafai ona pulea (e masani lava 50μm). Mo manaoga faʻapitoa o meafaigaluega semiconductor, gradient doping tekinolosi e mafai foi ona faʻaogaina e faʻamalieina ai le faʻapipiʻiina i le va o le ufiufi ma le substrate, ma faʻaleleia atili ai le malosi o le vaivai.

Tulaga lelei o le tantalum carbide coating

Manuia lelei ile vevela ogaoga:

Tantalum carbide (TaC) ei ai le mea fa'afefeteina e o'o atu i le 3880°C (sili atu le maualuga nai lo le silicon carbide's 2700°C) ma fa'atumauina le fa'amaoni o le fausaga i le vevela i luga a'e o le 1800°C. O lenei uiga e sili ona lelei i faiga e sili atu le vevela mo le tuputupu aʻe o le epitaxial SiC (e pei o le MOCVD, LPE), aloese mai le toilalo o le ufiufi ona o le vevela vevela poʻo le suiga o vaega.

Ole malosi ole kemikolo lelei:

I le faagasologa o le SiC epitaxy, e masani ona i ai kasa malosi o loʻo i ai le silicon (Si), hydrogen (H₂) ma le halogen (Cl) i totonu o le potu tali. O le faʻafefeteina o le tantalum carbide coating i ia kasa e sili atu le lelei nai lo le silicon carbide, lea e mafai ona faʻaitiitia lelei ai le tali i le va o le ufiufi ma le kesi tali, ma faʻaitiitia ai le lamatiaga o le filogia ma faʻaleleia le lelei o le epitaxial layer.

Fa'ato'a fa'ateleina fa'amama maualalo:

O le faʻalauteleina o le vevela o le tantalum carbide (~ 6.3 × 10⁻⁶ / K) e latalata i le mea o le graphite substrate (~ 4.2 × 10⁻⁶ / K), lea e mafai ona faʻaitiitia ai le faʻalavelave faʻalavelave e mafua mai i le uila vevela, aloese mai le taʻe poʻo le paʻu o le ufiufi, ma faʻalauteleina le ola tautua o le vaega.

Faʻaitiitia tau o le tausiga ma faʻateleina le gaosiga:

O pa'u SIC masani e faigofie ona fa'ama'i pe tali atu i kesi fa'agasologa i le vevela maualuga, e mana'omia ai le fa'agasolo taimi mo le tausiga. O le umi o le tantalum carbide coating e mafai ona faʻalauteleina le taamilosaga o le tausiga, faʻaitiitia le taimi o meafaigaluega, ma faʻaitiitia le tau atoa e sili atu i le 30%.