SiC Coated Isostatic Graphite Crucible
Semixlab SiC Coated Isostatic Graphite Crucible ua fa'ainisinia mo le mana'omia o talosaga semiconductor, tu'ufa'atasia maualuga-density isostatic graphite fa'atasi ai ma le CVD silicon carbide coating mo le le mafaatusalia le mautu o le vevela, mama, ma le tumau. Fa'aaoga lautele i le tuputupu a'e tioata SiC (Metotia PVT), tuputupu a'e tioata tasi silicon, ma le vevela vevela togafitiga & diffusion faagasologa, o nei crucibles e tuʻuina atu tutusa le tufatufaina o le vevela, faʻaitiitia le faʻaleagaina, ma faʻalauteleina le ola tautua.
faʻamatalaga
O le SiC Coated Isostatic Graphite Crucible ofo mai e Semixlab e fa'ainisinia mai le premium isostatic graphite, e lauiloa mo lona toniga tutusa, fausaga saito lelei, ma le malosi fa'ainisinia i lalo o tulaga ogaoga. E fa'aogaina se fa'apipi'i silicon carbide (SiC) mama maualuga i luga o le graphite, fa'atupuina se mafiafia ma le puipuiga e fa'aleleia atili ai le fa'ama'iina o le fa'ama'i, fa'amautu fa'amama, ma le fa'ama'i. O lenei tu'ufa'atasiga o meafaitino fa'apitoa e fa'amautinoa ai le fa'auluina o le vevela, fa'aitiitia le fa'aleagaina, fa'alautele le ola tautua, ma le fa'atinoina faifaipea i lalo ole siosiomaga ole gaosiga ole semiconductor.
auiliili
Meafaitino ma Meatotino
O la matou ipu e gaosia mai mea taua e lua:
· Isostatic Graphite Substrate: O lenei mea faʻavae e gaosia e ala i le faʻaogaina o le isostatic process, lea e faʻamautinoa ai se toniga, fausaga maualuga-maualuga ma le malosi faʻainisinia faʻapitoa ma le mautu vevela. O lenei natura isotropic o lona uiga o ana meatotino e tumau i itu uma, e puipuia ai le taua ma le ta'e tusa lava pe i lalo o le vevela vevela. O le graphite maualuga mama matou te faʻaaogaina e faʻaitiitia ai le le mama, lea e taua mo le puipuia o le faʻaleagaina i faiga maaleale semiconductor.
· Silikon Carbide (SiC) faʻapipiʻi: Fa'aogaina ile fa'aogaina o se auala fa'a'a'amu asu (CVD), o le SiC layer e fausia ai se pa puipui mafiafia, e le porous.
| Fa'aletino fa'aletino o le CVD SiC coating | |
| meatotino | Tausaga masani |
| Fauga tioata | FCC β vaega polycrystalline, tele (111) fa'atatau |
| Density | 3.21 g / cm³ |
| maaa | 2500 Vickers malo (500g uta) |
| Fua o le Fua | 2 ~ 10μm |
| Mama Atoatoa i vailaʻau | 99.99995% |
| Malosiaga vevela | 640 J·kg-1K-1 |
| Sulimation Temperature | 2700 ° C |
| Malosiaga fetuutuunai | 415 MPa RT 4-point |
| Young's Modulus | 430 Gpa 4pt pi'o, 1300 ℃ |
| Thermal Conductivity | 300W·m-1K-1 |
| Fa'alauteleina o le vevela(CTE) | 4.5 × 10-6K-1 |
talosaga
Galuega Fa'atino i Fa'agasologa Semiconductor
1. SiC Crystal Growth (Metotia PVT)
I le Va'aiga Va'a Fa'aletino (PVT) auala mo le tuputupu a'e tioata SiC, o le fa'atauva'a e faia se sao taua i le ausiaina o le gaosiga o tioata maualuga. O le SiC-coated surface e maua ai se si'osi'omaga fa'amautu fa'ama'i e puipuia ai fa'alavelave e le mana'omia i le va o le graphite substrate ma le mea mata'utia SiC puna. O lenei mea e faʻaitiitia ai le faʻaleagaina o le carbon ma faʻaleleia le tutusa o le lattice tioata. O le fa'auluina o le vevela o le tu'u'amea e mautinoa ai le tu'uina atu o le vevela, e taua tele mo le fa'atonutonuina o le fa'alili o le vevela ma fa'aitiitia ai le tele o le va'aiga i siC boules. O le i'uga, e sao sa'o ai le u'amea i le fa'aleleia atili o le gaosiga o tioata ma le lelei o le wafer mo le gaosiga o masini semiconductor i lalo.
2. Silikosi Nofosi Crystal Growth
I le faagasologa o le tuputupu aʻe tioata tasi kalikika (e pei o le Czochralski method), e tatau ona tatalia le faaumiumi o le faʻaalia i le maualuga o le vevela aʻo faʻatumauina le faʻaogaina o vailaʻau. O le SiC coating e fai ma pa puipui mai le faʻamaʻiina ma le faʻasalalauina o le le mama, faʻamautinoa e leai se faʻamaʻi e alu atu i totonu o le silikoni uʻamea. O le mea lea e maua ai tioata silicon sili ona mama ma faʻaitiitia faʻaletonu faʻavae, lea e taua mo le gaosiga o ICs maualuga, masini eletise, ma sela photovoltaic. E le gata i lea, o le faʻapipiʻiina e faʻaleleia ai le ola tautua o le crucible, faʻaitiitia ai le sui taimi ma le tau o le gaosiga atoa.
3. Togafitiga vevela ma le faʻasalalauga maualuga-maualuga
I togafitiga vevela, faʻafefeteina, ma faʻasalalauga faʻagasologa, o faʻamaʻi semiconductor e faʻaalia i le maualuga o le vevela lea e sili ona taua le mama ma le mautu. O le SiC-coated crucible e ofoina atu le malosi tele e tetee atu ai i le sublimation ma le alu ese, puipuia ai le gaosiga o mea iti e mafai ona faʻafefeteina luga ole papa. O lona mautu fa'amama fa'amautinoaina tulaga fa'avevela tutusa, lea e lagolagoina sa'o le fa'asalalauina o le dopant ma le fa'atinoga faifaipea. E ala i le fa'atumauina o se atemosifia mama lelei ma fa'aitiitia le fa'aleagaina o meafaitino, e fesoasoani le u'umea i tagata gaosi oloa ina ia maua fa'amaoni, leai se fa'aletonu i le gaosiga tele.
Faʻamanuiaga Faʻamasino
Semixlab Fa'amanuiaga
Semixlab tulaga ese o se faʻatau faʻalagolago e ala i le tuʻufaʻatasia o inisinia saʻo ma faʻamautinoaga lelei. So'o se SiC Coated Graphite Crucible e fa'ata'ita'i fa'amalosi i falegaosimea e fa'amautinoa ai le fa'apipi'iina o le ufiufi, mafiafia tutusa, ma le fa'atinoga i lalo o le uila afi. O lo'o tu'uina atu e le kamupani ni fofo fa'apitoa, fa'avasegaina o fua fa'atau, mafiafia fa'apipi'i, ma mea i luga ole laiga e fa'amalieina ai mana'oga fa'apitoa.
I tua atu o le gaosiga, Semixlab e tuʻuina atu foi faʻatalanoaga faʻapitoa ma talosaga lagolago, fesoasoani i inisinia semiconductor ma 'au faʻatau e filifili le mamanu sili ona talafeagai mo latou tulaga faʻagasologa. Faatasi ai ma lana tautinoga malosi i tulaga lelei ma aganuʻu, Semixlab faʻamautinoa le faʻatuatuaina o sapalai ma faʻatinoga umi mo le gaosiga o le semiconductor.
tatou Auaunaga

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