Tatau mama Taulai

I totonu o faiga autu o le gaosiga o le semiconductor e pei o le CVD chemical vapor deposition, etching, ma le manifinifi ata tifaga, Etching Focus Ring (Etching Focus Ring), Electrode (Electrode), ETC (Edge Temperature Controller) ma isi vaega faʻaaogaina o vaega autu ia e faʻamautinoa ai le saʻo ma le mautu. O nei vaega o loʻo faʻapipiʻi saʻo i totonu o se potu gaogao e ausia ai le faʻaogaina o fausaga nanoscale i luga o le wafer surface e ala i le pulea saʻo o le tufatufaina o plasma, vevela pito ma le tutusa o le eletise.

I le tali atu i manaoga faʻapitoa o le mama ma le mautu i faiga maualuga (e pei o le 5nm ma lalo), ua faʻafeiloaʻi e Semixlab ni mama taulaʻi ma le lagolagoina o mea faʻaaogaina ma le Monocrystalline Silicon maualuga maualuga e avea ma mea autu, faʻatusatusa i mea masani Quartz. Fa'atosina i le fa'a'ele'ele, fa'amautu fa'amafanafana ma mea fa'a-dielectric.

Fa'atusatusaga o mea autu: silikoni monocrystalline vs. Quartz

1. Plasma tete'e corrosion

Monocrystals. O loʻo ogatasi ma mea faʻavae wafer, na latou faʻaalia le maualalo o fua faʻatatau i le fluorine-based (CF₄, SF₆) poʻo le chlorine-based (Cl₂) siʻosiʻomaga plasma ma ola i le 3-5 taimi e pei o le quartz, faʻaitiitia le faʻaogaina o meafaigaluega ma le faʻafouina taimi.

Quartz: E ui lava e lelei le maualuga o le vevela, e faigofie ona fausia ni micro-cracks i lalo o le malosi o le malosi o le ion bombardment, e mafua ai le faateleina o le lamatiaga o le filogia, aemaise lava i le faagasologa o le etching umi.

2. Fa'avevela fa'avevela ma le fa'alauteleina o le vevela

Monocrystalline silicon: o le vevela (149 W / m · K) e sili atu le maualuga nai lo le quartz (1.4 W / m · K), lea e mafai ona vave faʻatautaia le vevela ma faʻaitiitia ai le mamafa o le vevela i le lotoifale. O lona maualalo maualalo o le faʻalauteleina o le vevela (2.6 × 10⁻⁶ / K) e fetaui ma faʻamaʻi silikoni e aloese ai mai le faʻaleagaina o vaega ona o fesuiaiga o le vevela.

Quartz: maualalo le vevela conductivity, faigofie e fausia se gradient vevela i totonu o le potu, e aafia ai le tutusa plasma; O le faʻalauteleina o le vevela (0.55 × 10⁻⁶ / K) e matua ese lava mai le wafer, lea e faigofie ona mafua ai le micro-displacement o vaega i lalo ole vevela maualuga umi.

O meatotino dielectric ma le sa'o o le faagasologa

Monocrystal silicon: E matua maualalo le leiloa dielectric (tanδ <0.001), e mafai ona faʻatonutonu saʻo le tufatufaina atu o le eletise RF ina ia mautinoa o le pito i le ogatotonu o le eseesega o le fua o le wafer etching e itiiti ifo i le 1.5%, faʻafeiloaʻi manaʻoga o faiga alualu i luma mo laina tutusa lautele.

Quartz: O le dielectric tumau (3.8) e ese mai le siʻosiʻomaga faʻavae silicon, lea e faigofie ona taʻitaʻia ai le faʻaogaina o le eletise, ma o le aʻafiaga o le pito e taua tele, lea e aʻafia ai le faʻatulagaina o le faʻatulagaina o le maualuga maualuga.

Aisea e filifili ai le silikoni monocrystalline?

I fa'agasologa alualu i luma i lalo ole 7nm, o le Fa'asologa o Fa'amalama e fa'aiti i le fua fa'atomu, ma o le pu'upu'u o le ola ipu ma le eletise fa'alavelave fa'alavelave fa'alavelave o mea fa'atau quartz fa'aleaganu'u ua avea ma fa'amaufa'ailoga e maua ai. Faatasi ai ma lona tino ma kemikolo homology ma wafers, monocrystalline silicon mea e mafai ona faʻaitiitia faʻalavelave faʻalavelave, faʻalautele le taamilosaga o le tausiga i le sili atu i le 3,000 itula, ma faʻaitiitia le tau atoa e 40%.

Faʻamatalaga Faʻamatalaga:

1. Isi igoa: mama taulaʻi, mama etching, mama taulaʻi mo etching, Monocrystalline silicon taulai mama.

2. Fa'aoga: O vaega Isoconsumable o vaega autu ia e fa'amautinoa ai le sa'o ma le mautu o le faagasologa. O nei vaega o loʻo faʻapipiʻiina saʻo i totonu o se potu gaogao e ausia ai le faʻaogaina o fausaga nanoscale i luga o le faʻamaʻi e ala i le pulea saʻo o le tufatufaina o plasma, vevela pito ma le tutusa o le eletise.

3. Fa'amaufa'ailoga autu: Fa'avevela vevela (149 W/m·K), e mafai ona vave fa'atautaia le vevela o le fa'agasologa, fa'aitiitia le mamafa o le vevela i le lotoifale; O lona maualalo maualalo o le faʻalauteleina o le vevela (2.6 × 10⁻⁶ / K) e fetaui ma faʻamaʻi silikoni e aloese ai mai le faʻaleagaina o vaega ona o fesuiaiga o le vevela.

Fa'atusatusaga fa'amatalaga fa'apitoa

HAR Etching: I le 3D NAND ma le TSV (e ala i le silicon) faʻagasologa, faʻamautu le tausiga o le pito loloto o le puipui o le pu.

Atomic Layer etching (ALE): Ave'esea o fa'aatama tasi e ala i le fa'atonu sa'o o le eletise ina ia 'alofia ai le soona togi.

Fa'apipi'i semiconductor fa'apipi'i: Fa'ata'ita'i fua fa'aletonu maualalo e fetaui ma mea fa'apipi'i vaeluaga e pei o le GaN ma le SiC.

Fa'amaonia le fa'aleagaina o le leai: O mea fa'amea silikoni monocrystalline e fa'aiila tele (Ra <0.1μm) ma le Vasega 10 potu mama e 'alofia ai le fa'asa'olotoina o mea ma'i ma fa'afeiloa'i le tulaga mama o le semiconductor grade (SEMI F47).

Fuafuaga fa'atonutonu le vevela atamai: Fa'atasi le ETC module, mata'ituina taimi moni ma fetu'una'iga o le vevela pito e ala i le thermocouple fa'apipi'i, taui o le fe'avea'i vevela potu, e fa'amautinoa ai le toe fa'afouina.

Fegalegaleaiga faʻapitoa: Lagolago faʻapitoa faʻapipiʻi ma mafiafia e tusa ai ma le faʻataʻitaʻiga o le nofoaga o tagata o tausia (e pei o le AMAT Centura, Lam Research Kiyo), mo le tele o punaʻoa plasma (ICP, CCP).