Porous graphite

O le graphite porous e masani ona faʻaaogaina i le PVT (faʻafeiloaʻiga ausa faaletino) carbide silicon (SiC) faʻasolosolo tuputupu aʻe tioata, o le mea autu o le maualuga o le vevela o le faʻaogaina o le fanua. O le oloa e faia i le ultra-high mama isostatically fetaomi graphite, lea e fausia ai se toniga ma pulea porous fausaga e ala i le saʻo CNC masini ma pore pulea tekinolosi, faʻamautinoaina lelei le faatinoga i lalo o tulaga ogaoga faagasologa (2200 ℃). O lona mamanu tulaga ese e matua faʻaleleia atili ai le tutusa o le vevela ma faʻamalieina le lelei o le faʻaogaina o le kesi, o se faʻamaoniga autu mo le maualuga o le SiC tioata tuputupu aʻe.

Vaega autu ma tulaga lelei o le faagasologa:

E matua mama ma maualalo le tulaga faaletonu

O le fa'aogaina o le fa'amamāina o le vevela maualuga (3000 ℃ togafitiga) e fa'aaogaina e fa'aititia atili ai mea o lo'o i totonu o mea e le o u'amea pei o le okesene ma le nitrogen. Ave'esea le mama fa'aoso fa'aletonu tioata (e pei o microtubules, dislocations) e fa'amautinoa ai le fa'aogaina o le eletise o tioata ta'itasi SiC.

Fa'amautu maualuga le vevela ma le pulea o le fanua vevela

I le argon / vacuum environment, e mafai ona tatalia le 2200 ℃ faʻaauau pea le gaioiga mo le sili atu i le 1000 itula, maualalo le maualuga o le faʻalauteleina o le vevela, ma aloese mai le taʻeina o mea e mafua mai i le vevela.

O le porosity e lagolagoina le faʻasologa o le tufatufaina atu, faʻatasi ma le CFD simulation e faʻamalieina ai le tele o le pore (10-200μm), faʻatonutonu saʻo le tufatufaina atu o le vevela, faʻaitiitia le fesuiaiga o le vevela (i totonu o le ± 3 ℃), ma faʻaleleia le tutusa o le tuputupu aʻe tioata.

Fofo faʻapitoa

Fetuuna'iga fa'a-geometri: Lagolago le fa'aogaina o foliga lavelave (e pei o le fa'alava fa'aanumera, talipupuni fa'apipi'i tele), fa'afetaui le fausaga o le ogaumu a tagata fa'atau.

Togafitiga i luga: Tuuina atu le faʻamaʻi poʻo le faʻapipiʻiina o auaunaga e faʻaleleia ai le teteʻe o le pala ma le ola tautua.

Fa'amaoniga fa'atinoga o talosaga

I le PVT SiC crystallization faagasologa, e pei o se vaega faʻamaʻi ma vevela:

Faʻateleina le tuputupu aʻe tioata e 15% -20% (faʻatusatusa i le graphite masani);

O le fua o le wafer ua faateleina i le sili atu i le 90% (4 inisi SiC tioata tasi);

Ole taimi ole tausiga ole masini e fa'alautele ile 6 masina (le masani ole 3 masina).

Faʻamatalaga Faʻamatalaga:

1. Isi igoa: PVT graphite crucible, silicon carbide tuputupu ae ma porous graphite.

2. Fa'aaogāga: PVT auala (to'a felauaiga kasa fa'aletino) SiC tasi tioata tuputupu a'e vaega autu vevela.

3. Fa'asologa autu: mama ≥99.9995%, porosity 15-30%, vevela tetee 2200 ℃ (siosiomaga kasa inert), conductivity vevela 100-150 W/m·K.

PVT tuputupu aʻe ogaumu faʻapotopotoga: I le avea ai o se vaega o le SiC sublimation mea ma le tuputupu aʻe tioata, e maua ai se faʻamautu faʻasalalauga fanua vevela.

Vaega e puipuia ai le eleele vevela: fausaga porous e faʻaitiitia ai le mamafa o le vevela ma faʻaumiina le ola tautua o meafaigaluega.

Faʻamau tioata fatu: malosi faʻainisinia maualuga e lagolago ai le tioata fatu, e faʻamautinoa ai le tuputupu aʻe o le tioata.

La'au fa'asalalauina o kesi: fa'amalieina le fa'agasologa o le fa'agasologa o le kasa, fa'aleleia le tulaga lelei o le tioata tasi ma le fua o le tuputupu a'e.

Ultra-maualuga le vevela faatinoga: leai se faamaluluina deformation i le 2200 ℃, lagolagoina le sili atu i le 1000 itula o le faagaoioiga tumau mautu.

Fuafuaga fanua fa'amama fa'apitoa: Fa'atasi ma le fa'ata'ita'iga CFD e fa'amalieina le fa'alili pore, fa'aleleia le tutusa tioata ma fua.

Au'aunaga fa'asolosolo vave: tu'uina atu fa'ata'ita'iga fa'ata'ita'iga fa'ata'ita'iga fa'ata'ita'iga ma tu'uina atu fa'ata'ita'iga fofo i totonu ole 72 itula.