Mama Fa'atatau SiC Malosi
O le Semixlab Technology o se kamupani gaosi oloa Saina taʻimua i mea faʻasilikoni silicon carbide semiconductor. O a matou mama faʻatatau SiC ua faʻapitoa ona mamanuina mo siosiomaga plasma maualuga, e taua tele i le puleaina o le tufatufaina atu o le plasma ma le amio a le eletise i pito o le wafer. E fesoasoani lea e faʻaitiitia ai aafiaga o pito ma faʻaleleia atili ai le tutusa o le faagasologa mai le ogatotonu o le wafer i le pito i tua. O lenei oloa e masani ona faʻaaogaina i faʻaoga etching plasma e pei o le ICP ma le CCP etching, faʻapea foʻi ma le PECVD ma le ALD deposition processes, lea e taua tele ma e le mafai ona suia. Matou te tulimatai atu i lau fesili.
faʻamatalaga
O le Solid SiC Focusing Ring o se vaega taua o le plasma contact ua mamanuina mo faiga fa'atekonolosi fa'atekonolosi. I nei faiga, o le pulea sa'o o le tufatufaina atu o le plasma, le tutusa o le faiga, ma le mautu o le chamber e matua taua lava. I totonu o masini fa'aonaponei o le dry etch ma le deposition, o le fa'atinoga o vaega o le wafer edge control e iai sona aafiaga tuusa'o ma le fuaina i le toe faia o le faiga, le fua, ma le taimi e fa'aaoga ai masini. O le Semixlab's Solid SiC Focusing Ring e tu'ufa'atasia ai le mama, le fa'atulagaina lelei, ma le tete'e atu i le pala o le plasma o mea SiC i se taimi umi e fa'afetaui ai nei mana'oga faigata.
I faiga o le etching Inductively Coupled Plasma (ICP) ma le Capacitively Coupled Plasma (CCP), o le mama taula’i e tu’u i tafatafa o le pito o le wafer e fa’amatala ma fa’amautu ai le tuaoi o le plasma. O lana galuega autu o le fa’atonutonuina lea o le eletise i le lotoifale ma le mamafa o le plasma e lata ane i le pito o le wafer, ma fa’aitiitia ai aafiaga o pito e ono mafua ai le le tutusa o le fua o le etching, le fa’aletonu o le fa’atulagaga, po’o le suiga tele o le fua. I le fa’atumauina o le fegalegaleaiga tutusa o le plasma ma le fogāeleele o le wafer, o le mama taula’i silicon carbide malosi e fa’aleleia atili ai le tutusa mai le ogatotonu i le pito.

Ata fa'atino o le mama fa'atatau o le fa'ailoga sic malosi
I faiga o le fa'aputuina o le PECVD ma le ALD, e matuā tāua tele le mafiafia tutusa o le ata tifaga ma le tutusa o le tu'ufa'atasiga. E tutusa lava le tāua o Mama Fa'aputuga SiC Malō i le fa'atulagaina o le siosiomaga o le tali atu i le pito o le wafer. Latou te fesoasoani e pulea le tufatufaina atu o ituaiga tali atu ma le malosiaga o le plasma, fa'aitiitia le so'ona fa'aputuina o pito, ma fa'aitiitia ai le lē tutusa o ata tifaga e mafua mai i le fa'alauteleina o le plasma e le'i pulea.
Pe a faatusatusa i fofo masani e faaaoga ai le quartz, alumina, po o le graphite substrates, e ofoina atu e Solid SiC Ceramics ni tulaga lelei tulaga ese. O le silicon carbide malosi e faaalia ai le tete'e atu i le ele e faasaga i vailaau plasma e faavae i le fluorine ma le chlorine, mautu lelei i le vevela i le taimi o le faagaoioiga malosi faifai pea, ma se fausaga mafiafia e faaitiitia ai le gaosiga o vaega. O nei meatotino e mafai ai e le mama taulai ona faatumauina le mautu o le eletise ma le masini i luga o taamilosaga umi, ma faaitiitia ai lamatiaga o le faaleagaina o le potu ma faaitiitia ai le feeseesea'iga o le faagasologa e fesootai ma le ofuina o vaega.
Fa'aaogaina le tomai loloto o Semixlab ma tekinolosi fa'aonaponei i le fa'agasologa o le seramika fa'aonaponei, o a matou mama fa'atatau Solid SiC e tu'uina atu ai le fa'atinoga tutusa i siosiomaga sili ona faigata o le plasma. I le fa'alauteleina o le umi o le ola o vaega, fa'aitiitia le tele o tausiga, ma le tausia o tulaga mautu o le plasma, e maua ai e le au gaosi semiconductor ni fua maualuga, fa'ateleina le fa'aaogaina o masini, ma fa'aitiitia tau o gaosiga. Fa'afeso'ota'i matou mo fautuaga fa'apitoa fa'apitoa ma fofo oloa e fa'atatau i au faiga fa'apipi'i semiconductor ma faiga fa'apipi'i PECVD/ALD.
auiliili
| Mea fa'aletino ole Solid SiC | |||
| Density | 3.21 | g / cm3 | |
| Tete'e o le Eletise | 102 | Ω/cm | |
| Malosiaga fetuutuunai | 590 | MPa | (6000kgf/cm2) |
| Young Modulus | 450 | GPa | (6000kgf/mm2) |
| Vickers Malosi | 26 | GPa | (2650kgf/mm2) |
| CTE(RT-1000℃) | 4.0 | x10-6/K | |
| Fa'avevela vevela(RT) | 250 | W / mK | |
tatou Auaunaga

Semixlab Fa'atau oloa


EN
EN
DA
NL
FI
FR
DE
IT
JA
KO
NO
PL
PT
RO
RU
ES
SV
TL
ID
SK
UK
VI
TH
TR
FA
BE
LA
UZ





