Vaega faapitoa uma
SiC Ceramic
Mama Fa'atatau SiC Malosi1
Mama Fa'atatau SiC Malosi2
Mama Fa'atatau SiC Malosi1
Mama Fa'atatau SiC Malosi2

Mama Fa'atatau SiC Malosi


O le Semixlab Technology o se kamupani gaosi oloa Saina taʻimua i mea faʻasilikoni silicon carbide semiconductor. O a matou mama faʻatatau SiC ua faʻapitoa ona mamanuina mo siosiomaga plasma maualuga, e taua tele i le puleaina o le tufatufaina atu o le plasma ma le amio a le eletise i pito o le wafer. E fesoasoani lea e faʻaitiitia ai aafiaga o pito ma faʻaleleia atili ai le tutusa o le faagasologa mai le ogatotonu o le wafer i le pito i tua. O lenei oloa e masani ona faʻaaogaina i faʻaoga etching plasma e pei o le ICP ma le CCP etching, faʻapea foʻi ma le PECVD ma le ALD deposition processes, lea e taua tele ma e le mafai ona suia. Matou te tulimatai atu i lau fesili.

faʻamatalaga

O le Solid SiC Focusing Ring o se vaega taua o le plasma contact ua mamanuina mo faiga fa'atekonolosi fa'atekonolosi. I nei faiga, o le pulea sa'o o le tufatufaina atu o le plasma, le tutusa o le faiga, ma le mautu o le chamber e matua taua lava. I totonu o masini fa'aonaponei o le dry etch ma le deposition, o le fa'atinoga o vaega o le wafer edge control e iai sona aafiaga tuusa'o ma le fuaina i le toe faia o le faiga, le fua, ma le taimi e fa'aaoga ai masini. O le Semixlab's Solid SiC Focusing Ring e tu'ufa'atasia ai le mama, le fa'atulagaina lelei, ma le tete'e atu i le pala o le plasma o mea SiC i se taimi umi e fa'afetaui ai nei mana'oga faigata.

I faiga o le etching Inductively Coupled Plasma (ICP) ma le Capacitively Coupled Plasma (CCP), o le mama taula’i e tu’u i tafatafa o le pito o le wafer e fa’amatala ma fa’amautu ai le tuaoi o le plasma. O lana galuega autu o le fa’atonutonuina lea o le eletise i le lotoifale ma le mamafa o le plasma e lata ane i le pito o le wafer, ma fa’aitiitia ai aafiaga o pito e ono mafua ai le le tutusa o le fua o le etching, le fa’aletonu o le fa’atulagaga, po’o le suiga tele o le fua. I le fa’atumauina o le fegalegaleaiga tutusa o le plasma ma le fogāeleele o le wafer, o le mama taula’i silicon carbide malosi e fa’aleleia atili ai le tutusa mai le ogatotonu i le pito.

ata o le mama e taula'i i le fa'aogaina o le fa'a'ofuofu mautu

Ata fa'atino o le mama fa'atatau o le fa'ailoga sic malosi

I faiga o le fa'aputuina o le PECVD ma le ALD, e matuā tāua tele le mafiafia tutusa o le ata tifaga ma le tutusa o le tu'ufa'atasiga. E tutusa lava le tāua o Mama Fa'aputuga SiC Malō i le fa'atulagaina o le siosiomaga o le tali atu i le pito o le wafer. Latou te fesoasoani e pulea le tufatufaina atu o ituaiga tali atu ma le malosiaga o le plasma, fa'aitiitia le so'ona fa'aputuina o pito, ma fa'aitiitia ai le lē tutusa o ata tifaga e mafua mai i le fa'alauteleina o le plasma e le'i pulea.

Pe a faatusatusa i fofo masani e faaaoga ai le quartz, alumina, po o le graphite substrates, e ofoina atu e Solid SiC Ceramics ni tulaga lelei tulaga ese. O le silicon carbide malosi e faaalia ai le tete'e atu i le ele e faasaga i vailaau plasma e faavae i le fluorine ma le chlorine, mautu lelei i le vevela i le taimi o le faagaoioiga malosi faifai pea, ma se fausaga mafiafia e faaitiitia ai le gaosiga o vaega. O nei meatotino e mafai ai e le mama taulai ona faatumauina le mautu o le eletise ma le masini i luga o taamilosaga umi, ma faaitiitia ai lamatiaga o le faaleagaina o le potu ma faaitiitia ai le feeseesea'iga o le faagasologa e fesootai ma le ofuina o vaega.

Fa'aaogaina le tomai loloto o Semixlab ma tekinolosi fa'aonaponei i le fa'agasologa o le seramika fa'aonaponei, o a matou mama fa'atatau Solid SiC e tu'uina atu ai le fa'atinoga tutusa i siosiomaga sili ona faigata o le plasma. I le fa'alauteleina o le umi o le ola o vaega, fa'aitiitia le tele o tausiga, ma le tausia o tulaga mautu o le plasma, e maua ai e le au gaosi semiconductor ni fua maualuga, fa'ateleina le fa'aaogaina o masini, ma fa'aitiitia tau o gaosiga. Fa'afeso'ota'i matou mo fautuaga fa'apitoa fa'apitoa ma fofo oloa e fa'atatau i au faiga fa'apipi'i semiconductor ma faiga fa'apipi'i PECVD/ALD.

auiliili
Mea fa'aletino ole Solid SiC
Density 3.21 g / cm3
Tete'e o le Eletise 102 Ω/cm
Malosiaga fetuutuunai 590 MPa (6000kgf/cm2)
Young Modulus 450 GPa (6000kgf/mm2)
Vickers Malosi 26 GPa (2650kgf/mm2)
CTE(RT-1000℃) 4.0 x10-6/K
Fa'avevela vevela(RT) 250 W / mK
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