LPE SiC EPI Halfmoon

O le LPE SiC EPI Halfmoon o se vaega fa'ainisinia sa'o ua fa'atulagaina mo SiC epitaxial growth systems, aemaise le Liquid Phase Epitaxy (LPE) ma hybrid CVD/LPE reactors o lo'o fa'aaogaina i le maualuga o le vevela o le SiC deposition process.

O lona fausaga o le kalafi e ufiufi ai le CVD TaC e mautinoa ai le tulaga ese o le tetee atu i le vevela ma le fa'aleagaina o vaila'au, a'o lona afa masina o lo'o faia se sao taua i le fa'amautu uma o le vevela ma le kesi tafe i totonu o le potu tali.

Talosaga i SiC Epitaxy

Lalo o se faʻamatalaga auiliili o ana matafaioi faʻatino i le tele o itu taua o le SiC epitaxy process:

1. Fa'a'avevela Fa'ato'aga ma Pulea

O le tufatufaina atu o le vevela e taua tele i le ausiaina o tulaga maualuga SiC epitaxial layers. I le LPE reactor environment, o le vevela e mafai ona sili atu i le 1600-1800 ° C, faʻatasi ai ma gradients e aʻafia saʻo ai le mafiafia o le epitaxial layer, doping concentration, ma le faʻaleagaina. O le EPI Halfmoon o loʻo avea o se vaega faapaleni vevela e:

● E atagia ma toe tufatufaina atu le vevela vevela i luga o le sone wafer, faʻaitiitia le faʻamalieina o le vevela i luga ma le radial;

● Faʻaleleia foliga faʻamalo i totonu o le reactor, faʻamautu le faʻaogaina i le va o le substrate ma le puna silicon-carbon liusuavai;

● Puipuia le vevela i le lotoifale ma faʻamautinoa o loʻo alualu i luma le tuputupu aʻe tioata SiC i se fua faʻatonutonu.

2. Fa'asoaga o le kesi ma le fa'aleleia atili o le siosiomaga

O le fausaga o le halfmoon ua fa'ainisinia fa'apitoa e fa'afetaui ai le saoasaoa o le tafega o le kesi ma le fa'atonuga i totonu o le reactor.

I le SiC epitaxy, o kasa muamua e pei o le SiH₄, C₃H₈, ma le H₂ e tatau ona faatumauina le tafe o le laminar ma le tufatufaina tutusa e puipuia ai fua faatatau o gaioiga faʻapitonuʻu ma faʻavae vaega. O le EPI Halfmoon e saofagā i lenei mea e:

● Ta'ita'ia le ta'amilosaga o le kesi i ala fa'alelei lelei, puipuia sone fa'aletonu ma fa'amautinoa le tu'uina atu o mea muamua;

● Fa'alauiloaina le tele o felauaiga o ituaiga Si ma C i luga o le wafer surface, fa'aitiitia ai fa'aletonu laiti ma fa'apipi'i la'a;

● Fa'aleleia le fa'amama kasa fa'avevela ina ia puipuia ai fa'aletonu lona lua po'o le fa'atupuina o mea leaga i puipui o potu.

3. Puipuiga o vaila'au ma le Pulea mama i luga

A'o fa'aumiumi ta'amilosaga o le tuputupu a'e o le epitaxial, o vaega o le graphite e le'i puipuia e a'afia i le tafia o vaila'au, fa'asalalauina kaponi, ma le fa'aleagaina o le kasa. O le CVD TaC coating i le Halfmoon e maua ai:

● O se pa fa'a-kemikolo e fa'asaga i kasa fa'amalosi e pei o le H₂, SiH₄, ma le Cl₂ fa'avae etchants;

● Malosi le taofiofia o le fa'aleagaina o le ausa kaponi, fa'amautinoa e leai se ituaiga kaponi e le mana'omia e sosolo i totonu o le epitaxial layer;

● Faʻaleleia le mama o potu ma faʻalautele taimi faʻaleleia.

4. Feso'ota'i ma Tu'ufa'atasi

Semixlab's LPE SiC EPI Halfmoon e mafai ona faʻapipiʻiina e tuʻufaʻatasia ma:

● LPE tūsa'o fa'aola, lea e galue e pei o se fa'aaliga pito i luga po'o le itu mo le faapaleniina vevela;

● potu fa'asaga i le CVD-LPE, e fai ma fa'amautu le tafe kesi po'o mea fa'apipi'i;

● OEM faiga mai le tele epitaxy meafaigaluega gaosi e pei o Aixtron, LPE, ma Veeco.

O Halfmoon ta'itasi e sa'o-masini e fa'amautinoa le sa'o o le fua i totonu o le ±0.05 mm, fa'amautinoa le fa'apipi'iina ma le fa'aitiitia o le fa'alavelave i totonu o le vacuum po'o le hydrogen-oa si'osi'omaga.

I le tuputupu ae o le epitaxial SiC, o tikeri uma o le vevela o le vevela ma soʻo se faʻalavelave faʻafefe o le tafe o le kesi e mafai ona aʻafia ai le lelei o le wafer ma le gaosiga o masini. Semixlab LPE SiC EPI Halfmoon fa'afeiloa'i nei lu'itau ma se fa'asaienisi optimized tu'ufa'atasiga fa'ainisinia sa'o graphite ma le CVD TaC fa'apipi'i tekonolosi, ofoina atu le fa'atusalia le pulea i luga o le vevela, kesi, ma le mama - o fa'avae e tolu o le maualuga-fa'atinoga SiC epitaxy. Faʻafeiloaʻi e faʻafesoʻotaʻi i matou mo nisi faʻatalanoaga faʻapitoa ma mamanu faʻapitoa.