CVD Silicon Carbide (SiC) fa'apipi'i

O le ufiufi CVD SiC o se vaega silicon carbide e fa'apipi'i i luga o le graphite, ma e fa'aaogaina lautele i meafaigaluega epitaxy lea e taua ai le vevela ma le mama. I laina gaosiga moni, e masani ona e va'aia i totonu o faiga mai AIXTRON, ASM/LPE, Veeco, fa'apea fo'i ma nisi o fa'avae e feso'ota'i ma le AMAT. O le mea e aoga ai e le gata o le tete'e atu i le vevela, ae o le mautu lautele i taimi umi. I lalo o tulaga masani o epitaxy - hydrogen, ammonia, po'o kasa chlorinated - e tumau le mautu o le ufiufi ma puipuia le graphite i lalo. E fesoasoani lea e fa'atumauina ai le tumau o le fanua vevela ma fa'aitiitia ai le avanoa e aliali mai ai ni vaega i le taimi o le tuputupu a'e.

O le tele o taimi, e fa'apipi'i le ufiufi i vaega e pei o susceptors, wafer carriers, graphite rings, po'o vaega o le afa-masina. O nei mea uma e a'afia sa'o i le fa'avevela po'o le tu'uina o le wafer, o lea so'o se fa'aletonu la'ititi e mafai ona a'afia ai le fua. Mo lena mafua'aga, o vaega ua ufiufi e masani ona va'aia o ni mea e fa'aaogaina e mana'omia pea ona fa'atuatuaina i le tele o ta'amilosaga, aemaise lava i le gaosiga e 4 i le 12 inisi.